【產(chǎn)通社，12月30日訊】北京大學（Peking University）官網(wǎng)消息，以其信息科學技術(shù)學院為第一作者單位的5篇論文日前在美國電氣電子工程師學會2016年度電子器件大會（IEEE International Electron Device Meeting，IEDM）上發(fā)表。由此，北大成為本次會議被接收論文最多的中國機構(gòu)。與此同時，這也是北大連續(xù)第十年在IEDM發(fā)表論文，表明學校在微納電子器件領(lǐng)域的研究水平持續(xù)保持在國際前沿之列。

這5篇論文的研究內(nèi)容包括：發(fā)現(xiàn)新型隧穿晶體管的電介擊穿可靠性的新特性及其機理，同時提出并驗證了基于新結(jié)構(gòu)器件的改進方案，為實現(xiàn)高可靠、超低功耗晶體管技術(shù)的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用奠定了重要基礎(chǔ)（第一作者為博士后黃芊芊，合作導師為信息科學技術(shù)學院院長黃如院士）；16/14nm及以下工藝節(jié)點FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）新技術(shù)的隨機漲落機制與模型表征、及其亞0.2V超低電壓應(yīng)用的近閾值電路設(shè)計研究（第一作者為博士研究生蔣曉波，由王潤聲副教授、黃如院士指導）；納米尺度晶體管的導電溝道滲流理論、模型與實驗表征研究（第一作者為博士研究生張喆，由王潤聲副教授、黃如院士指導）；新型半導體存儲介質(zhì)的存儲機制微觀模擬和面向性能優(yōu)化的建模（第一作者為博士研究生趙鈺迪，由康晉鋒教授、博士后黃鵬指導）；III-V族化合物半導體納米線晶體管的柵介質(zhì)可靠性研究（第一作者為博士研究生李云，由劉曉彥教授指導）。其中，趙鈺迪的研究工作被大會組織委員會列為本次會議的亮點之一。

以上論文的相關(guān)研究工作得到國家自然科學基金創(chuàng)新研究群體、優(yōu)秀青年科學基金、國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（“863計劃”）等項目的資助，以及微納電子與集成系統(tǒng)協(xié)同創(chuàng)新中心、北京大學微米/納米加工技術(shù)國家級重點實驗室等機構(gòu)的支持。

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