【產(chǎn)通社，2月22日訊】江蘇捷捷微電子股份有限公司（Jiangsu JieJie Microelectronics Co.,Ltd.；股票代碼：300623）首次公開發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市招股意向書顯示，其截至本招股意向書簽署日專利情況（序號(hào)、專利名稱、專利號(hào)、專利保護(hù)期限、專利類型）如下：
1 門極靈敏觸發(fā)單向可控硅芯片及其生產(chǎn)方法  ZL200810122602.9  自2008年6月16日至2028年6月15日  發(fā)明專利
2 門極靈敏觸發(fā)單向晶閘管芯片及其制造方法  ZL200910301954.5  自2009年4月29日至2029年4月28日  發(fā)明專利
3 一種低結(jié)電容過壓保護(hù)晶閘管器件芯片的生產(chǎn)方法  ZL200910301945.6  自2009年4月29日至2029年4月28日  發(fā)明專利
4 內(nèi)絕緣型塑封半導(dǎo)體器件及其制造方法  ZL201010211665.9  自2010年6月28日至2030年6月27日  發(fā)明專利
5 在半導(dǎo)體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置的使用方法  ZL201110210416.2  自2011年7月26日至2031年7月25日  發(fā)明專利
6 一種可控硅芯片與木片的燒結(jié)磨具及其使用方法  ZL201110186119.9  自2011年7月5日至2031年7月4日  發(fā)明專利
7 一種金屬與塑料混合封裝的可控硅封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法  ZL201110185306.5  自2011年7月4日  至2031年7月3日  發(fā)明專利
8 一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)及方法  ZL201110213223.2  自2011年7月28日至2031年7月27日  發(fā)明專利
9  臺(tái)面工藝功率晶體管芯片結(jié)構(gòu)和實(shí)施方法  ZL201110213277.9  自2011年7月28日至2031年7月27日  發(fā)明專利
10  臺(tái)面工藝可控硅芯片結(jié)構(gòu)和實(shí)施方法  ZL201110213225.1  自2011年7月28日至2031年7月27日  發(fā)明專利
11 一種大尺寸硅芯片采用塑料實(shí)體封裝的可控硅及其封裝方法  ZL201110186169.7 自2011年7月5日至2031年7月4日  發(fā)明專利
12 內(nèi)絕緣型塑封半導(dǎo)體器件  ZL201020240792.7  自2010年6月28日至2020年6月27日  實(shí)用新型專利
13 臺(tái)面工藝可控硅芯片結(jié)構(gòu) ZL201120270383.6  自2011年7月28日至2021年7月27日  實(shí)用新型專利
14 臺(tái)面工藝功率晶體管芯片結(jié)構(gòu)  ZL201120270384.0  自2011年7月28日至2021年7月27日  實(shí)用新型專利
15 一種大尺寸硅芯片采用塑料實(shí)體封裝的可控硅  ZL201120233834.9  自2011年7月5日至2021年7月4日  實(shí)用新型專利
16 一種大功率半導(dǎo)體器件  ZL201120233780.6  自2011年7月5日至2021年7月4日  實(shí)用新型專利
17 一種單向晶閘芯片的門極結(jié)構(gòu)  ZL201120233893.6  自2011年7月5日至2021年7月4日  實(shí)用新型專利
18 一種高粘度光刻膠無膠絲勻膠裝置  ZL201120232561.6  自2011年7月4日至2021年7月3日  實(shí)用新型專利
19  一種提高雙臺(tái)面可控硅產(chǎn)品可靠性的封裝結(jié)構(gòu)  ZL201120233779.3  自2011年7月5日至2021年7月4日  實(shí)用新型專利
20 一種單向低壓TVS器件 ZL201620137605.X  自2016年2月24日至2026年2月23日  實(shí)用新型專利
21 一種門極和陽極共面的單向可控硅芯片  ZL201620137606.4  自2016年2月24日至2026年2月23日  實(shí)用新型專利
22 一種汽車用二極管器件 ZL201620151962.1  自2016年3月1日至2026年2月28日  實(shí)用新型專利
23 一種大功率可控硅封裝結(jié)構(gòu) ZL201620192032.0  自2016年3月14日至2026年3月13日  實(shí)用新型專利
24 單一負(fù)信號(hào)觸發(fā)的雙向晶閘管芯片 ZL201620192790.2  自2016年3月14日至2026年3月13日  實(shí)用新型專利
25 一種帶有深阱終端環(huán)結(jié)構(gòu)的平面可控硅芯片  ZL201620192788.5  自2016年3月14日至2026年3月13日  實(shí)用新型專利
26 一種高壓整流二極管芯片 ZL201620192024.6  自2016年3月14日至2026年3月13日  實(shí)用新型專利
27  一種P+深結(jié)區(qū)位于短路孔內(nèi)的半導(dǎo)體放電管芯片  ZL201620192037.3  自2016年3月14日至2026年3月13日  實(shí)用新型專利
28  一種VR大于2600V的方片式玻璃鈍化二極管芯片  ZL201620192752.7  自2016年3月15日至2026年3月14日  實(shí)用新型專利
29  一種SiC環(huán)狀浮點(diǎn)型P+結(jié)構(gòu)結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管  ZL201620264475.6  自2016年4月1日至2026年3月31日  實(shí)用新型專利
30  一種單向低壓TVS器件及其制造方法  ZL201610100408.5  自2016年2月24日至2036年2月23日  發(fā)明專利
31 用金屬鋁膜實(shí)現(xiàn)對(duì)通隔離擴(kuò)散的晶閘管芯片及其制作方法  ZL201310209154.7  自2013年5月30日至2033年5月29日  發(fā)明專利
32 平面晶閘管、用于制造平面晶閘管的芯片及制作方法  ZL201310211580.4  自2013年5月30日至2033年5月29日  發(fā)明專利
33  一種帶有七層對(duì)通隔離結(jié)構(gòu)的可控硅芯片及其制備方法  ZL201620192787.0  自2016年3月14日至2026年3月13日  實(shí)用新型專利

上述專利均為自主申請(qǐng)，目前的法律狀態(tài)均為有效。發(fā)行人專利技術(shù)為公司自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，應(yīng)用于功率半導(dǎo)體芯片和封裝器件的多道生產(chǎn)工藝中，降低原材料的損耗率，提高生產(chǎn)效率，保證各批次產(chǎn)品性能優(yōu)良、一致、穩(wěn)定，從降低生產(chǎn)成本、提升產(chǎn)品質(zhì)量、增強(qiáng)品牌知名度、把握定價(jià)話語權(quán)等多方面保證公司持續(xù)盈利能力。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.jjwdz.com/cn/company。    （完）