【產(chǎn)通社，2月27日訊】山東天岳晶體材料有限公司（SICC Science&Technology Co., Ltd）官網(wǎng)消息，山東省通告了山東省科技廳、山東省財政廳、山東省知識產(chǎn)權(quán)局公布的首批15項關(guān)鍵核心技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)情況，其“碳化硅晶體制備關(guān)鍵技術(shù)專利群”位列其中，成為我省首批關(guān)鍵核心知識產(chǎn)權(quán)。

碳化硅晶體制備關(guān)鍵技術(shù)專利群包含了晶體生長裝備、籽晶成核控制等技術(shù)的國內(nèi)發(fā)明專利10余項。應(yīng)用該技術(shù)生長出了低微管缺陷密度的半絕緣型和N型碳化硅單晶，研制出低成本、高可靠性的單晶生長設(shè)備，實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化，突破了外國技術(shù)封鎖和產(chǎn)品壟斷，使我國成為目前世界上少數(shù)幾個掌握碳化硅晶體制備技術(shù)的國家之一。

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