（產(chǎn)通社，11月23日訊）海力士采用的54納米技術(shù)的1Gb DDR2 DRAM，11月獲得了美國Intel公司的認(rèn)證，從而證明了公司的尖端技術(shù)能力和成本競爭力。

此次獲認(rèn)證的54納米1Gb DDR2 DRAM，采用了三維晶體管架構(gòu)和WDPG技術(shù)，不但減少耗電，還大大提高了運(yùn)行速度。與現(xiàn)正批量生產(chǎn)的66納米工程相比，可增加50%的產(chǎn)能。新采用的這些技術(shù)還將擴(kuò)展應(yīng)用至1Gb DDR3 DRAM產(chǎn)品中，屆時(shí)，它將于1Gb DDR2 DRAM和DDR3 DRAM產(chǎn)品一起，于明年下半年開始正式批量生產(chǎn)。

海力士獲得的此次認(rèn)證，意味著產(chǎn)品的超高速性能和低耗電特點(diǎn)得到正式驗(yàn)證和強(qiáng)化，計(jì)劃將之?dāng)U展應(yīng)用于大容量PC DRAM、Graphic DRAM及Mobile DRAM等各種高附加值產(chǎn)品中去，從而可提高產(chǎn)品的競爭力，以滿足市場今后不斷增加的需求。

海力士認(rèn)為，以54納米技術(shù)來制造的1Gb DDR2 DRAM獲得認(rèn)證，意味著海力士尖端技術(shù)能力和成本競爭力再次得到證實(shí)，使800Mbps（每秒處理800Mb的數(shù)據(jù)）超高速產(chǎn)品的批量生產(chǎn)成為可能，因而具有重大的意義。
 
查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問http://www.hynix-st.com