（產(chǎn)通社/深圳，11月30日訊）意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）日前推出一款型號為STV300NH02L的新的功率MOSFET，這款新產(chǎn)品的特性是導(dǎo)通電阻極低，達(dá)到微歐的水平，在要求嚴(yán)格的電源系統(tǒng)中，新產(chǎn)品有助于降低損耗，提高能效。這個高電流的N溝道MOSFET器件是為并聯(lián)電源專門設(shè)計(jì)的，為了提高系統(tǒng)的可靠性，服務(wù)器廣泛使用并聯(lián)電源冗余結(jié)構(gòu)。

ST開發(fā)出一項(xiàng)引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻Rds(on)極低，只有0.8毫歐，為高電流的MOSFET器件創(chuàng)造了一個新的工業(yè)基準(zhǔn)。這款20V的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護(hù)功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時間極短。

關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，MOSFET取代了二極管。現(xiàn)在功耗低的STV300NH02L在電源效率上又向前邁出了一大步。

STV300NH02L采用PowerSO-10封裝，訂貨1000件，單價4.50美元。更多詳情，請登錄：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos。