【產(chǎn)通社，4月15日訊】英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG；FSE股票代碼：IFX/OTCQX股票代碼：IFNNY）官網(wǎng)消息，其新推出的600V CoolMOS P7和600V CoolMOS C7 Gold（G7）系列的擊穿電壓高達600V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能，可在目標應用中實現(xiàn)非常出色的功率密度。
 

產(chǎn)品特點


新推出的P7樹立效率標桿并具備更高的性價比，可大大簡化設(shè)計。該器件的目標應用包括充電器、適配器、照明裝置、電視、PC電源、太陽能、服務器、電信和電動汽車充電等，其功率級別從100W到15kW不等。在不同的拓撲中，600V CoolMOS P7能夠?qū)⒛繕藨玫男侍岣?.5%，并且，相比競爭產(chǎn)品而言，工作溫度最多可降低4.2°C。表面貼裝（SMD）和通孔封裝型號的導通電阻RDS（on）范圍均為37-600mΩ，因此，600V CoolMOS P7適合功率范圍很寬的多種應用。此外，超過2kV（HBM）的出色的防靜電能力可保護器件免受生產(chǎn)中的靜電放電損壞，從而有效提高制造品質(zhì)。最后，堅固耐用的體二極管能在LLC電路中硬換向事件期間保護器件。

G7具備較低的導通電阻RDS（on）、最小的柵極電荷QG，同時存儲于輸出電容的能量減少，并具備無引線TO封裝的4管腳開爾文源極能力。這可以最大限度降低PFC和LLC電路中的損耗，并將性能提升0.6%，同時提高PFC電路的滿載效率。G7只有1nH的極低源極寄生電感，也有助于提高效率。

G7采用無引線TO封裝，熱性能得以改善，適用于大電流的設(shè)計，同時SMD工藝有助于降低安裝成本。此外，600V G7具備業(yè)界最低的導通電阻RDS（on），從28-150mΩ不等。相比傳統(tǒng)的D2PAK封裝而言，該器件的表面積、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%。所有這些特性，使該器件成為服務器、電信、工業(yè)和太陽能等應用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)最高效率并樹立功率密度標桿的理想選擇。
 

供貨與報價


600V CoolMOS P7與600V CoolMOS C7 Gold系列器件已開始批量生產(chǎn)，可訂購樣品。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.infineon.com/600v-p7和http://www.infineon.com/c7-gold-toll。    （完）