（產(chǎn)通社/深圳，12月21日訊）FSI國(guó)際有限公司(Nasdaq: FSII)今天宣布，公司已成功地采用FSI ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成后去除了未反應(yīng)的金屬薄膜。通過(guò)實(shí)現(xiàn)這一新的工藝，IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過(guò)程中，大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對(duì)資金的要求。新訂購(gòu)的FSI ZETA Spray Cleaning System噴霧式清洗系統(tǒng)中已經(jīng)采用了FSI ViPR技術(shù)，并將用于升級(jí)最近已經(jīng)在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)安裝的系統(tǒng)。
鎳鉑硅化物最早應(yīng)用于65nm邏輯器件，因?yàn)樗淖杩垢�，從而可�?shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。但在早期應(yīng)用中，業(yè)界發(fā)現(xiàn)在不損害鎳鉑硅化物區(qū)域的情況下，去除未反應(yīng)的鎳和鉑是非常有挑戰(zhàn)性的。在2005年，F(xiàn)SI憑借其新開(kāi)發(fā)的鎳鉑剝離工藝解決了這一問(wèn)題。
隨著業(yè)界使用鎳鉑硅化物的經(jīng)驗(yàn)增加，IC制造商觀察到更低的硅化物形成溫度可降低結(jié)泄漏電流。不過(guò)，這一溫度更低的工藝在金屬去除步驟中帶來(lái)了其它的復(fù)雜性，并使得高良率的集成方案無(wú)法實(shí)現(xiàn)。新的基于FSI ViPR的工藝沒(méi)有這一限制，從而使得這樣一個(gè)低成本、高良率低溫退火鎳鉑硅化物工藝得以實(shí)現(xiàn)。
“通過(guò)持續(xù)發(fā)展我們的ViPR工藝來(lái)解決更多的制造問(wèn)題，我們的客戶(hù)從生產(chǎn)力和工藝改善中持續(xù)地得到了好處，”FSI董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官Don Mitchell說(shuō)，“能夠在現(xiàn)有的機(jī)臺(tái)上為業(yè)界提供新的解決方案，我們總是感到很高興，因?yàn)檫@可在為未來(lái)幾代技術(shù)提供擴(kuò)展性的同時(shí)，進(jìn)一步降低客戶(hù)的成本�！�
FSI的ViPR技術(shù)最早在2006年推出時(shí)針對(duì)的是全濕法光刻膠去除，當(dāng)時(shí)它是用作一種取消光刻膠掩膜去除順序上的灰化步驟的方法。取消灰化引起的損害帶來(lái)了更低的材料損失、縮短了周期時(shí)間和降低了總的資金投入。ViPR技術(shù)目前正被一些全球最大的集成電路制造商在制造工藝中實(shí)施。
ZETA系統(tǒng)使用離心噴霧和多功能化學(xué)品傳送技術(shù)，在一個(gè)成分和溫度可控的情況下準(zhǔn)備化學(xué)制品，以直接擴(kuò)散到晶圓表面上。ZETA系統(tǒng)已在很寬范圍的應(yīng)用中得到了驗(yàn)證，包括用于硅化物形成的鈷和鎳蝕刻、光刻膠剝離和灰后后清洗、非超聲波法的粒子去除和晶圓回收。
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