【產(chǎn)通社，7月1日訊】英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG；FSE股票代碼：IFX/OTCQX股票代碼：IFNNY）官網(wǎng)消息，其開始批量生產(chǎn)EASY 1B全碳化硅模塊。全新1200V碳化硅MOSFET已進(jìn)行優(yōu)化，同時具備高可靠性與性能優(yōu)勢。其動態(tài)功率損耗要比1200V硅（Si）IGBT低一個數(shù)量級。首批產(chǎn)品將主推光伏逆變器、不間斷電源（UPS）和充電/儲電系統(tǒng)等應(yīng)用。不久的將來推出的新型號，也將為打造適用于工業(yè)變頻器、醫(yī)療設(shè)備或鐵路設(shè)備輔助電源的革命性解決方案創(chuàng)造條件。

英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點，考慮到成本效益，它已可用于不同應(yīng)用。不過，為了讓這一新的半導(dǎo)體技術(shù)成為可以依靠的革命性技術(shù)，需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對應(yīng)用量身定制產(chǎn)品、我們的生產(chǎn)能力、對技術(shù)組合和系統(tǒng)的全面了解：這四大優(yōu)勢使我們成為功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)者。依托英飛凌碳化硅產(chǎn)品組合，我們希望并且能夠達(dá)成這一目標(biāo)�！�

 
產(chǎn)品特點
 

1200V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術(shù)的一大優(yōu)勢在于持久的堅固耐用性。這是由于其具備較低的工作時間失效（FIT）率和有效的短路能力，可適應(yīng)不同的應(yīng)用。得益于4V的閾值電壓（Vth）和+15V的推薦接通閾值（VGS），這些晶體管能像IGBT一樣得到控制，在發(fā)生故障時得以安全關(guān)閉。碳化硅MOSFET可以實現(xiàn)高速開關(guān)。另外，英飛凌碳化硅MOSFET技術(shù)可以通過柵極電阻調(diào)節(jié)來改變開關(guān)速度，因此，可以輕松優(yōu)化EMC性能。 

早在去年，英飛凌就已推出主導(dǎo)產(chǎn)品EASY 1B（半橋/Booster）以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin產(chǎn)品。EASY 1B平臺十分成熟，是實現(xiàn)快速開關(guān)器件的理想模塊平臺。在今年的PCIM展會上，英飛凌將展出基于1200V SiC MOSFET技術(shù)的其他模塊平臺和拓?fù)�。它們將逐步擴(kuò)大CoolSiC MOSFET的性能范圍。英飛凌展出的碳化硅模塊包括：
 - 采用B6（Six-Pack）拓?fù)涞腅ASY 1B：該模塊的特點是成熟的英飛凌模塊配置，導(dǎo)通電阻（RDS（ON））僅45mΩ。集成的體二極管確保低損耗續(xù)流功能。該EASY 1B適用于傳動、太陽能或焊接技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。
 - 采用半橋拓?fù)涞腅ASY 2B：這個較大的EASY器件，其性能增強(qiáng)，每個開關(guān)的RDS（ON）為8mΩ。低電感模塊概念是功率超過50kW和快速開關(guān)應(yīng)用的理想選擇，比如太陽能逆變器、快速充電系統(tǒng)或不間斷電源解決方案等。
 - 采用半橋拓?fù)涞?2mm：附加的半橋配置，具備更大功率，每個開關(guān)功能的RDS（ON）為6mΩ。該模塊平臺為中等功率范圍系統(tǒng)實現(xiàn)低電感連接創(chuàng)造了條件。這一特性適合諸多應(yīng)用，包括醫(yī)療設(shè)備或鐵路設(shè)備的輔助電源等。由于有大量潛在應(yīng)用，英飛凌預(yù)計該模塊將迅速普及。
 

供貨與報價


在2016年P(guān)CIM上推出的旗艦產(chǎn)品EASY 1B和兩個分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin，今年將逐步開始批量生產(chǎn)。EASY 1B半橋配置現(xiàn)已開始供貨。為支持其市場發(fā)布，英飛凌同步推出了多種驅(qū)動模塊和演示板，這些模塊和演示板也從現(xiàn)在起開始供貨。新產(chǎn)品型號已開始提供樣片，計劃于2018年開始批量生產(chǎn)。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.infineon.com。    （完）