| 華邦SpiFlash超低電壓串行閃存助力語音、穿戴式、物聯(lián)網(wǎng)開發(fā) |
| 2017/7/31 19:31:55 |
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 【產(chǎn)通社,7月30日訊】華邦電子股份有限公司(Winbond Electronics Corp.;TWSE股票代碼:2344)官網(wǎng)消息,其全新推出SpiFlash低電壓串行式閃存產(chǎn)品系列工作電壓為1.2-1.5V,為業(yè)界編碼型閃存(NOR Flash)中電壓最低的產(chǎn)品,適合研發(fā)人員開發(fā)語音、穿戴式、物聯(lián)網(wǎng)與其他要求低耗電和小型封裝的產(chǎn)品應(yīng)用,其低電壓與每秒52MB傳輸速率使SpiFlash內(nèi)存產(chǎn)品適用于廣泛的消費(fèi)性與工業(yè)性應(yīng)用。 WebFeet Research市場研究機(jī)構(gòu)的副總Alan Niebel指出:“在2020年前,物聯(lián)網(wǎng)市場上將會有500億個聯(lián)網(wǎng)裝置,傳感器將需要使用超低耗能的串行式編碼型快閃記體來延長電池使用時間。”他也提到,華邦電子的1.2V串行式四通道編碼型內(nèi)存透過超低功耗的設(shè)計與其它較高電壓的編碼型內(nèi)存器件在市場上競爭。他認(rèn)為此種設(shè)計對于使用電池或能源采集方式供電的穿戴式、工業(yè)性、行動式與藍(lán)芽物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品來說相當(dāng)有幫助。 Espressif Systems執(zhí)行長Teo Swee Ann說:“華邦電子的低耗能串行式閃存產(chǎn)品已經(jīng)成為物聯(lián)網(wǎng)與智慧聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的理想選擇,該公司使1.2V串行式閃存產(chǎn)品的功能更加提升,搭配我們支持WiFi與Bluetooth聯(lián)機(jī)的超低功耗ESP32芯片,已經(jīng)證明能進(jìn)一步減少電源消耗,該產(chǎn)品已經(jīng)在我們的系統(tǒng)上測試成功,我們希望能盡快地以模塊式的產(chǎn)品推向市場。” 華邦電子閃存產(chǎn)品中心營銷副總JW Park說:“我們擴(kuò)大SpiFlash產(chǎn)品系列,包含超低電壓的串行式閃存,讓研發(fā)人員能設(shè)計出更節(jié)能且省成本的產(chǎn)品。華邦開發(fā)1.2V與1.5V低電壓的系列產(chǎn)品讓研發(fā)人員能設(shè)計出單一小尺寸的產(chǎn)品,將會提供從1Mb到128Mb儲存空間范圍產(chǎn)品! 產(chǎn)品特點(diǎn) 這兩款低電壓系列產(chǎn)品支持標(biāo)準(zhǔn)SPI與4通道QPI接口模式,且在芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP)運(yùn)作時,可達(dá)每秒52MB的數(shù)據(jù)傳輸速度,與目前市面上1.8V與3V串行式閃存產(chǎn)品的性能相當(dāng)。因?yàn)槟芴峁┟棵?2MB的數(shù)據(jù)讀取速度以及快速的內(nèi)存寫入/擦除,內(nèi)存可配合所有支持1.2V與1.5V延伸電壓范圍的芯片,能滿足消費(fèi)性、工業(yè)性與其他低耗能應(yīng)用對于串行式快閃內(nèi)存的要求。 1.2V電壓的產(chǎn)品其工作電壓范圍從1.14-1.3V,適用于任何超低耗電的應(yīng)用,而1.5V電壓的產(chǎn)品支持從1.14-1.6V的寬電壓操作,提供可攜式產(chǎn)品持久的電池續(xù)航力,無論是新電池或電池使用一段時間后,電壓逐漸下降的情況皆適用。SpiFlash低電壓內(nèi)存降低待機(jī)與省電模式時的電流,在高時鐘頻率時產(chǎn)生較低的讀取電流,透過領(lǐng)先業(yè)界的低功耗設(shè)計提供較長的電池續(xù)航力。1.5V延伸型內(nèi)存充分利用1.5V電池的工作電壓范圍,確保正常運(yùn)作,而電池電壓低至1.14V時仍能正常工作。 大部分的串行式閃存用于程序代碼代碼映像(code shadowing),儲存在閃存中的程序代碼加載到DRAM執(zhí)行運(yùn)算與儲存數(shù)據(jù)。其它常用的功能包含芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP),這里的讀取效能很重要,應(yīng)用程序可以直接在閃存上運(yùn)行。1.2V與1.5V延伸型SpiFlash串行式閃存規(guī)格如下: – 低功耗、工業(yè)級操作溫度:1.2V電壓產(chǎn)品系列支持1.14-1.3V單電源,1.5V延伸電壓產(chǎn)品系列支持1.14-1.6V單電源,2mA操作電流,省電模式電流值<0.5μA,-40°C至+85°C環(huán)境工作溫度。 – 彈性架構(gòu)與4KB扇區(qū):均一的4K-byte可抹除分區(qū),均一的32K與64K-byte可抹除區(qū)塊,可一次寫入1-256bytes,支持暫停與恢復(fù)抹除/寫入操作,高效能串行式閃存,單、雙、4通道串行SPI接口與4通道串行QPI接口,支持104MHz時鐘頻率與每秒高達(dá)52MB的數(shù)據(jù)傳輸速率。 – 節(jié)省空間的封裝方式:8引腳SOIC 150mil,USON8 2×3mm,8錫球晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP),已完整測試晶粒(KGD)。 此款超低電壓的SpiFlash新產(chǎn)品可節(jié)省電路板空間,可使用尺寸較小的低壓差穩(wěn)壓器(LDO)來取代尺寸較大的電源管理IC,節(jié)省電路板空間外也同時降低物料成本(BOM)。SpiFlash的超低待機(jī)電源特性可延長電池使用時間,進(jìn)而使設(shè)備的使用時間變長。此外,較低的電壓可減少噪聲耦合,讓電路板設(shè)計更精簡,體積更小。 供貨與報價 此系列的第一款產(chǎn)品W25Q80NE具備8Mb儲存空間,目前已經(jīng)提供樣品,并于2018年初開始量產(chǎn)。其它1Mb到128Mb儲存空間的1.2V產(chǎn)品,以及支持1.5-1.2V寬電壓的產(chǎn)品也將陸續(xù)推出。查詢進(jìn)一步信息,請訪問官方網(wǎng)站 http://www.winbond.com.tw。 (完)
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