（產(chǎn)通社，2月25日訊）在應(yīng)用電源電子產(chǎn)品大會（APEC）上，英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）推出三個全新的功率半導(dǎo)體系列，進(jìn)一步豐富廣博的OptiMOS 3 N溝道MOSFET產(chǎn)品組合。OptiMOS3 40V、60V和80V系列可在導(dǎo)通電阻等重要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)方面提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能， 使其能夠在采用標(biāo)準(zhǔn)TO封裝的條件下，降低30%的功耗。OptiMOS3 40V、60V和80V系列具備較低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻，與其他競爭性解決方案相比，可增加高達(dá)30%的功率密度，使相關(guān)應(yīng)用的組件數(shù)降低25%以上。

這些全新的MOSFET適用于多種功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用，包括計算機(jī)、家用電器、小型電動車、工業(yè)自動化系統(tǒng)、電信設(shè)備以及電動工具、電動剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類設(shè)備采用的SMPS（開關(guān)模式電源）、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動器。

全新OptiMOS 3系列可提供出類拔萃的導(dǎo)通電阻RDS(on)，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封裝具備最低1.6毫歐的導(dǎo)通電阻，OptiMOS 3 60V采用D-PAK封裝具備最低3.5毫歐的導(dǎo)通電阻，OptiMOS 3 80V采用D2–PAK封裝具備最低2.5毫歐的導(dǎo)通電阻。這些器件的FOM與同類競爭產(chǎn)品相比高出25%，能夠快速實(shí)現(xiàn)開關(guān)，同時最大程度降低傳導(dǎo)損耗和導(dǎo)通功耗，提高功率密度。此外，它還能降低驅(qū)動器產(chǎn)生的熱量，因此可提高系統(tǒng)的可靠性。另外，較低的導(dǎo)通電阻允許采用3 x 3mm S3O8（Shrink SuperSO8）等小型封裝，因此在設(shè)計產(chǎn)品時只需較小的空間，提高了功率密度。

“作為全球功率半導(dǎo)體市場領(lǐng)袖，英飛凌憑借豐富的OptiMOS MOSFET系列產(chǎn)品，使低壓功率轉(zhuǎn)換與管理應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了最佳的性能和效率。”英飛凌電源管理與驅(qū)動產(chǎn)品業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf指出，“我們利用在功率半導(dǎo)體制造和封裝方面的領(lǐng)先技術(shù)，不斷改進(jìn)器件性能，同時逐步降低外形尺寸，增大功率密度，提供出色的性價比。全新的OptiMOS3系列具有一流的效率和開關(guān)特性，有助于電源和電機(jī)設(shè)計者滿足日益嚴(yán)格的節(jié)能要求，同時保證提供用戶所需的卓越性能�！�

OptiMOS 3 40V系列可滿足多種應(yīng)用中的快速開關(guān)SMPS和DC/DC轉(zhuǎn)換器的需求，比如打印機(jī)、非絕緣工業(yè)轉(zhuǎn)換器和絕緣DC/DC轉(zhuǎn)換器，在這些應(yīng)用中30V MOSFET不能提供足夠的擊穿電壓。在SuperSO8封裝下，OptiMOS 3 40V系列的導(dǎo)通電阻低至1.6毫歐，比最接近的競爭對手要低50%以上。該特性以及1K/W的熱阻和100A的持續(xù)電流額定值為40V系列的低阻抗MOSFET設(shè)立了新基準(zhǔn)。該系列還包括業(yè)界首款采用S3O8封裝的40V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)SO8或SuperSO8器件相比減少了60%。

OptiMOS3 60V和80V系列主要用于SMPS和電機(jī)控制裝置及直流/直流無刷電機(jī)和有刷電機(jī)驅(qū)動器的二次側(cè)整流。OptiMOS3 80V系列也是適用于電信應(yīng)用產(chǎn)品的理想器件。這種全新的MOSFET可提供一流的導(dǎo)通電阻；例如OptiMOS3 80V采用TO-220封裝可提供2.8毫歐導(dǎo)通電阻，而其他同類競爭產(chǎn)品提供的導(dǎo)通電阻不低于3.3毫歐。較低的導(dǎo)通電阻結(jié)合0.5°K/W的熱阻和100A的持續(xù)電流額定值，使英飛凌全新MOSFET成為60V與80V系列功率半導(dǎo)體中首屈一指的產(chǎn)品。它們還采用了D-PAK封裝，與傳統(tǒng)的D2-PAK封裝相比，可使所需的板卡空間降低50%以上，同時使SMPS產(chǎn)品設(shè)計的封裝高度降低40%。

全新OptiMOS 3 40V、60V與80V功率MOSFET系列采用標(biāo)準(zhǔn)TO封裝以及SuperSO8和S3O8封裝，具有不同的導(dǎo)通電阻額定值。OptiMOS 3 60V系列現(xiàn)已開始批量生產(chǎn)，40V和80V器件目前只提供樣品。采用SSO8封裝且導(dǎo)通電阻為1.6毫歐的OptiMOS 3 40V，在訂購量達(dá)到萬件時其單價不超過0.99美元（0.68歐元）。在同樣訂購量下，采用D-PAK封裝的3.5毫歐 OptiMOS 3 60V的單價為0.99美元（0.68歐元），而采用TO-220封裝的2.8毫歐 OptiMOS 3 80V的單價為1.99美元（1.37歐元）。

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