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【產(chǎn)通社，10月17日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，根據(jù)中國科學(xué)院發(fā)文公布的2017年度“中國科學(xué)院百篇優(yōu)秀博士論文獎(jiǎng)”和優(yōu)秀導(dǎo)師獎(jiǎng)評審結(jié)果，王桂磊博士榮獲2017年度“中國科學(xué)院百篇優(yōu)秀博士論文獎(jiǎng)”，其導(dǎo)師趙超研究員榮獲“優(yōu)秀研究生指導(dǎo)教師獎(jiǎng)”。
王桂磊是微電子所先導(dǎo)中心2012級博士生，其博士學(xué)位論文題目為《面向22nm及以下技術(shù)代CMOS器件SiGe源漏選擇性外延技術(shù)研究》。該論文系統(tǒng)研究了SiGe源漏應(yīng)變技術(shù)在22nm及以下技術(shù)代應(yīng)用中的關(guān)鍵問題，實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量SiGe應(yīng)變薄膜的生長，提出了SiGe源漏器件集成應(yīng)變最大化的工藝方案，進(jìn)一步研究了選擇性外延圖形化密度效應(yīng)的影響等內(nèi)容。論文對22nm平面和16nm FinFET SiGe源漏器件進(jìn)行了電學(xué)性能驗(yàn)證，集成了SiGe源漏的器件性能大幅提升，為SiGe應(yīng)變薄膜在先進(jìn)器件中的大規(guī)模實(shí)際應(yīng)用提供了理論和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
王桂磊博士現(xiàn)為先導(dǎo)中心副研究員，中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)會(huì)員，攻讀博士學(xué)位期間曾獲得歐洲材料學(xué)研究會(huì)“青年科學(xué)家獎(jiǎng)”，“王守武院士優(yōu)秀獎(jiǎng)學(xué)金”及“中國科學(xué)院院長優(yōu)秀獎(jiǎng)”等多項(xiàng)殊榮，在多個(gè)國際著名學(xué)術(shù)期刊發(fā)表論文，以第一發(fā)明人申請國內(nèi)國際專利40余項(xiàng)，已授權(quán)20多項(xiàng)，其中美國專利授權(quán)6項(xiàng)。
“中國科學(xué)院百篇優(yōu)秀博士論文”自2004年開始評選，每年評選一次，旨在加強(qiáng)對高層次人才創(chuàng)造能力的培養(yǎng)，提高中科院博士生的培養(yǎng)質(zhì)量，激勵(lì)博士生開展原創(chuàng)性的研究工作。中科院向獲得“中國科學(xué)院百篇優(yōu)秀博士論文”的作者及指導(dǎo)教師頒發(fā)獲獎(jiǎng)證書并給予一定的獎(jiǎng)勵(lì)，對畢業(yè)后仍留中科院工作的博士生，還將給予科研啟動(dòng)資金的資助。
查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站 http://www.ime.cas.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire） （完）
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