【產(chǎn)通社，10月21日訊】英特爾公司（Intel Corporation；NASDAQ股票代碼：INTC）官網(wǎng)消息，其自2011年發(fā)布代號(hào)為Ivy Bridge的處理器以來(lái)，一直在量產(chǎn)22納米FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而隨著2014年代號(hào)為Broadwell的處理器發(fā)布，第二代14納米FinFET也開(kāi)始量產(chǎn)�；诙嗄�22納米/14 納米的制造經(jīng)驗(yàn)，英特爾推出了稱(chēng)為22FFL（FinFET低功耗）的全新工藝。該工藝提供結(jié)合高性能和超低功耗的晶體管，及簡(jiǎn)化的互連與設(shè)計(jì)規(guī)則，能夠?yàn)榈凸募耙苿?dòng)產(chǎn)品提供通用的FinFET設(shè)計(jì)平臺(tái)。

與先前的22GP（通用）技術(shù)相比，全新22FFL技術(shù)的漏電量最多可減少100倍。22FFL工藝還可達(dá)到與英特爾14納米晶體管相同的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)實(shí)現(xiàn)比業(yè)界28納米/22納米平面技術(shù)更高的面積微縮。

22FFL工藝包含一個(gè)完整的射頻（RF）套件，并結(jié)合多種先進(jìn)的模擬和射頻器件來(lái)支持高度集成的產(chǎn)品。借由廣泛采用單一圖案成形及簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì)法則，使22FFL成為價(jià)格合理、易于使用可面向多種產(chǎn)品的設(shè)計(jì)平臺(tái)，與業(yè)界的28納米的平面工藝（Planar）相比在成本上極具競(jìng)爭(zhēng)力。

迄今為止，英特爾已交付超過(guò)700萬(wàn)片F(xiàn)inFET晶圓，22FFL工藝充分利用這些生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，達(dá)到了極高的良品率。

英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)（Intel Custom Foundry）通過(guò)平臺(tái)向客戶提供22FFL工藝，該平臺(tái)包含多種已驗(yàn)證的硅IP組合以及全面集成的一站式晶圓代工服務(wù)和支持。22FFL技術(shù)主要特點(diǎn)包括：
高性能晶體管：接近14納米工藝的高驅(qū)動(dòng)電流。
低漏電晶體管：比英特爾22通用（General Purpose）工藝低100倍的總漏電量。
裸片面積微縮：優(yōu)于業(yè)界28/22納米平面工藝技術(shù)。
模擬/射頻設(shè)計(jì)：多種先進(jìn)模擬/射頻器件。
易于設(shè)計(jì)：廣泛使用單一圖案成形。
裸片良品率：采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的22/14納米特性，獲得高良品率。
平臺(tái)就緒進(jìn)度：目前提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)PDK0.5及PDK1.0。
生產(chǎn)就緒進(jìn)度：2017年第四季度。
 
22FFL新技術(shù)適用于低功耗的物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品，它將性能、功耗、密度和易于設(shè)計(jì)的特性完美結(jié)合。

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