【產(chǎn)通社，11月23日訊】中國科學(xué)院物理研究所（The Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，其863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。

在國家863計(jì)劃的支持下，由新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司牽頭，中科院物理所、半導(dǎo)體研究所、浙江大學(xué)，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司和全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院共同參與的研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功研制了滿足高壓SiC電力電子器件制造所需的4-6吋SiC單晶生長爐關(guān)鍵裝備，形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的4-6吋SiC單晶生長爐關(guān)鍵裝備體系。所研制的4-6吋通用型SiC單晶爐，實(shí)現(xiàn)了“零微管”（微管密度<1個/cm2）4吋SiC單晶襯底和低缺陷密度的6英寸SiC單晶襯底的制備技術(shù)，掌握了相關(guān)外延工藝技術(shù)，生長出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片，并制備了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅二極管系列產(chǎn)品，且已在市場上批量推廣使用。

碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，或第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在高壓、高溫、高頻等方面性能尤為明顯，但由于其生長制造技術(shù)要求很高，尤其是碳化硅單晶爐的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、溫度控制精度、真空度極限值及設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率，這些長期以來制約著我國第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的規(guī)模化和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

滿足高壓電力電子器件制造所需的4-6吋通用型SiC單晶生長爐及其配套生長工藝的成功研發(fā)，有效促進(jìn)了碳化硅襯底、外延、器件等制造技術(shù)的進(jìn)步，提高了國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的整體設(shè)計(jì)能力和制造水平，對推動第三代半導(dǎo)體材料、器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，降低產(chǎn)業(yè)鏈成本。對提升我國在該領(lǐng)域的國際競爭力具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2006年，由物理所以納米物理與器件實(shí)驗(yàn)室N01組（現(xiàn)先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室A02組）陳小龍研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)的碳化硅系列專利技術(shù)入股。在科技部、新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團(tuán)科技局、國家自然科學(xué)基金委、北京市科委等相關(guān)部門的支持下，天科合達(dá)公司與物理所團(tuán)隊(duì)在生長工藝和生長設(shè)備等方面進(jìn)行了長期的合作，取得多項(xiàng)技術(shù)突破，并于2016年在全國中小企業(yè)股份轉(zhuǎn)讓系統(tǒng)即“新三板”正式掛牌（NEEEQ股票代碼：870013），是第三代半導(dǎo)體行業(yè)首家在“新三板”掛牌的企業(yè)。新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司為北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司的全資子公司。

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