【產(chǎn)通社，12月2日訊】旺宏電子（Macronix International Co, Ltd；TWSE股票代碼：2337）官網(wǎng)消息，其4篇論文入選微電子組件界年度最重要會(huì)議——國(guó)際電子組件大會(huì)（IEDM）。本屆會(huì)議將于12/2-6在美國(guó)舊金山舉行，旺宏電子探討3D NAND創(chuàng)新結(jié)構(gòu)的論文更獲得大會(huì)評(píng)選為“亮點(diǎn)論文”（Highlight Paper），是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的“亮點(diǎn)論文”，再次彰顯旺宏電子在先進(jìn)內(nèi)存的研發(fā)實(shí)力持續(xù)受到國(guó)際高度肯定，也顯示旺宏在當(dāng)前產(chǎn)業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。
 
今年旺宏電子獲選為IEDM“亮點(diǎn)論文”的研究成果，主要是揭露一個(gè)嶄新的3D NAND記憶晶胞架構(gòu)。旺宏獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)（Single-Gate Vertical Channel, SGVC），相較于其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)卻可達(dá)到2-3倍的內(nèi)存密度。該篇研究成果顯示，旺宏的SGVC只要堆棧十六層，其內(nèi)存密度即可達(dá)到現(xiàn)行閘極環(huán)繞型結(jié)構(gòu)（Gate All Around, GAA）所堆棧的四十八層效果。此外，也因記憶晶胞為平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)，因此可大幅減少幾何效應(yīng)對(duì)于整體電性的敏感度，適合于需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的各式應(yīng)用，低層數(shù)的堆棧也有利于制程良率的提升，對(duì)于未來發(fā)展高密度、高質(zhì)量的內(nèi)存提供了一個(gè)更具競(jìng)爭(zhēng)力的方案。
 
其他入選的3篇技術(shù)論文，一篇是藉由計(jì)算機(jī)仿真的協(xié)助，降低3D NAND中相鄰Wordline（WL）的干擾問題，一篇?jiǎng)t為探討相變化內(nèi)存所采用選擇器組件（Selector）的材料問題，旺宏研究人員發(fā)現(xiàn)，在TeAsGeSi（碲砷鍺硅）四種合成化合物中，若是摻入Se（硒），可促使Selector具備更佳的電性開關(guān)行為，提供了現(xiàn)有相變化內(nèi)存（Phase Change Memory, PCM）所需使用選擇器的一種良好選擇，另一篇?jiǎng)t是探究ReRAM組件在高阻態(tài)（High Resistance State）的變化機(jī)制。
 
旺宏電子自2003年起持續(xù)于IEDM發(fā)表論文，目前發(fā)表的論文數(shù)已超過60篇，近年來獲選的論文篇數(shù)常居臺(tái)灣之冠，且?guī)缀趺績(jī)傻饺昙从姓撐墨@選為“亮點(diǎn)論文”，目前累積篇數(shù)已達(dá)6篇之多，其中2012年更同時(shí)有兩篇研究成果入選為“亮點(diǎn)論文”。今年大會(huì)特別推薦的16篇“亮點(diǎn)論文”，所有投稿的臺(tái)灣企業(yè)及學(xué)術(shù)研究機(jī)構(gòu)中，僅有旺宏電子入選，再次顯示旺宏電子在全球先進(jìn)內(nèi)存領(lǐng)域的優(yōu)異競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。
 
IEDM平均每年約有來自全球約600篇論文投稿，最后經(jīng)極嚴(yán)謹(jǐn)?shù)某绦蛟僭u(píng)選出10個(gè)次領(lǐng)域約200篇于會(huì)中發(fā)表。在內(nèi)存技術(shù)次領(lǐng)域，今年僅有25篇入選，而旺宏電子在該領(lǐng)域的成果表現(xiàn)，則是領(lǐng)先各國(guó)際級(jí)內(nèi)存大廠。今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界獲選的論文總計(jì)有17篇（以第一作者統(tǒng)計(jì)），包括產(chǎn)業(yè)11篇，其中旺宏電子即有4篇入選，以及學(xué)研界的6篇。

旺宏電子獲選為”亮點(diǎn)論文”的研究報(bào)告，相關(guān)信息可至以下網(wǎng)址查詢：Paper #19.1, "A 128Gb（MLC）/192Gb（TLC）Single-Gate Vertical Channel（SGVC）Architecture 3D NAND using only 16 Layers with Robust Read Disturb, Long-Retention and Excellent Scaling Capability" H.-T. Lue et al, Macronix http://btbmarketing.com/iedm/docs/19-1%20Ultra-High-Density%203D%20NAND%20Technology_Macronix.docx

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.macronix.com。    （完）