【產(chǎn)通社，12月22日訊】聯(lián)華電子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代碼：UMC；TWSE股票代碼：2303）官網(wǎng)消息，其推出40nm結(jié)合Silicon Storage Technology（SST）嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性內(nèi)存的制程平臺(tái)。新推出的40nmnm SST嵌入式快閃記憶，較量產(chǎn)的55nm單元尺寸減少20%以上，并使整體內(nèi)存面積縮小了20-30%。東芝電子組件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司已開(kāi)始評(píng)估其微處理器（MCU）芯片于聯(lián)華電子40nm SST技術(shù)平臺(tái)的適用性。

東芝電子組件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司混合信號(hào)芯片部門(mén)副總松井俊也表示：“我們期待采用聯(lián)華電子40奈米SST技術(shù)有助于提升我們MCU產(chǎn)品的性能。與聯(lián)電合作，透過(guò)穩(wěn)定的制造供應(yīng)及配合我們的生產(chǎn)需求提供靈活的產(chǎn)能，亦將使我們能夠保持強(qiáng)勁的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃（BCP）�！�

已有超過(guò)20個(gè)客戶和產(chǎn)品正以聯(lián)華電子55nm SST嵌入式閃存制程進(jìn)行各階段的生產(chǎn)，包含了SIM卡、金融交易、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、MCU及其他應(yīng)用產(chǎn)品。

聯(lián)華電子特殊技術(shù)組織協(xié)理丁文琪表示：“自2015年提供55nm SST嵌入式閃存成為主流技術(shù)以來(lái)，我們一直受到客戶的高度關(guān)注，藉此制程平臺(tái)所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數(shù)據(jù)保留和高耐久性的特性，可用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)者和物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用。我們很高興將這些產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)，并正努力將這嵌入式閃存解決方案擴(kuò)展到40nm的技術(shù)平臺(tái)，期待將SST的高速度和高可靠性優(yōu)勢(shì)帶給東芝和其他晶圓專工客戶。”

聯(lián)華電子堅(jiān)實(shí)的分離式閘極內(nèi)存單元SST制程，依據(jù)JEDEC所制定的規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，具100K耐久性和在85°C及工作溫度范圍為-40°C至125°C溫度下，數(shù)據(jù)可保存10年以上。除40nm SST制程外，還有20多家客戶使用該公司的55nm SST技術(shù)生產(chǎn)各類應(yīng)用產(chǎn)品。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.umc.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）