【產(chǎn)通社，12月29日訊】天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司（Zhonghuan Semiconductor；股票代碼：002129）官網(wǎng)消息，濱海新區(qū)科學(xué)技術(shù)委員會委托天津國際科技咨詢公司組織專家組，于2017年12月13日對其承擔(dān)的濱海新區(qū)科技計劃項目“1200V溝槽IGBT研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”進行了驗收。與會專家依據(jù)相關(guān)規(guī)定，聽取了項目承擔(dān)單位中環(huán)股份關(guān)于項目完成情況的匯報，審閱了驗收資料，并對項目承擔(dān)單位進行了現(xiàn)場考察。經(jīng)專家組質(zhì)詢及認真討論，最終認定該項目已經(jīng)完成了合同書中約定的各項考核指標(biāo)，驗收專家組一致同意項目通過驗收。

本項目研發(fā)的1200V IGBT開發(fā)了創(chuàng)新方法制造的溝槽柵、場截止結(jié)構(gòu)，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。該項目獲得濱海新區(qū)科技計劃項目資助200萬元，用于購買關(guān)鍵設(shè)備。1200V溝槽IGBT有效研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，對于提高我國整體功率半導(dǎo)體制造技術(shù)，縮小與國際先進技術(shù)之間的差距，促進行業(yè)技術(shù)進步，對企業(yè)、產(chǎn)業(yè)、上下游供應(yīng)鏈乃至國家都具有深遠的意義。有利于落實國家節(jié)能減排長期國策，對于上下游產(chǎn)業(yè)（硅材料、化工料、裝備制造等），都將形成良好的拉動作用。

項目后續(xù)的工作著力于研發(fā)靜動態(tài)參數(shù)、可靠性以及適合中高端終端應(yīng)用的高性能產(chǎn)品，從工藝和結(jié)構(gòu)上繼續(xù)開發(fā)新結(jié)構(gòu)的IGBT，開發(fā)性能更優(yōu)的器件。逐步切入國內(nèi)主流IGBT市場，在市場中積累產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用以及質(zhì)量管理的相關(guān)經(jīng)驗，以保證產(chǎn)品有足夠的市場適應(yīng)能力，逐步提高產(chǎn)品的市場認可度，做到逐步實現(xiàn)IGBT國產(chǎn)化。

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