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 【產(chǎn)通社,12月29日訊】天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司(Zhonghuan Semiconductor;股票代碼:002129)官網(wǎng)消息,濱海新區(qū)科學(xué)技術(shù)委員會委托天津國際科技咨詢公司組織專家組,于2017年12月13日對其承擔(dān)的濱海新區(qū)科技計劃項目“1200V溝槽IGBT研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”進行了驗收。與會專家依據(jù)相關(guān)規(guī)定,聽取了項目承擔(dān)單位中環(huán)股份關(guān)于項目完成情況的匯報,審閱了驗收資料,并對項目承擔(dān)單位進行了現(xiàn)場考察。經(jīng)專家組質(zhì)詢及認真討論,最終認定該項目已經(jīng)完成了合同書中約定的各項考核指標(biāo),驗收專家組一致同意項目通過驗收。 本項目研發(fā)的1200V IGBT開發(fā)了創(chuàng)新方法制造的溝槽柵、場截止結(jié)構(gòu),具有自主知識產(chǎn)權(quán)。該項目獲得濱海新區(qū)科技計劃項目資助200萬元,用于購買關(guān)鍵設(shè)備。1200V溝槽IGBT有效研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,對于提高我國整體功率半導(dǎo)體制造技術(shù),縮小與國際先進技術(shù)之間的差距,促進行業(yè)技術(shù)進步,對企業(yè)、產(chǎn)業(yè)、上下游供應(yīng)鏈乃至國家都具有深遠的意義。有利于落實國家節(jié)能減排長期國策,對于上下游產(chǎn)業(yè)(硅材料、化工料、裝備制造等),都將形成良好的拉動作用。 項目后續(xù)的工作著力于研發(fā)靜動態(tài)參數(shù)、可靠性以及適合中高端終端應(yīng)用的高性能產(chǎn)品,從工藝和結(jié)構(gòu)上繼續(xù)開發(fā)新結(jié)構(gòu)的IGBT,開發(fā)性能更優(yōu)的器件。逐步切入國內(nèi)主流IGBT市場,在市場中積累產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用以及質(zhì)量管理的相關(guān)經(jīng)驗,以保證產(chǎn)品有足夠的市場適應(yīng)能力,逐步提高產(chǎn)品的市場認可度,做到逐步實現(xiàn)IGBT國產(chǎn)化。 查詢進一步信息,請訪問官方網(wǎng)站 http://www.tjsemi.com。 (完)
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