（產(chǎn)通社，4月1日訊）美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.，紐約證券交易所：MU）宣布，推出4GB DDR3內(nèi)存模塊試用產(chǎn)品。該產(chǎn)品采用2Gb組件，提供業(yè)界密度最高的筆記本電腦DDR3內(nèi)存模塊。

隨著大量使用圖形的操作系統(tǒng)和其它處理海量內(nèi)容的應(yīng)用程序在市場不斷發(fā)展，高密度內(nèi)存模塊對筆記本電腦的重要性越來越高。美光DDR3模塊產(chǎn)品組合涵蓋了從512MB到現(xiàn)在的4GB的各種密度規(guī)格，這些模塊速度快、密度高、功率低，可使上述系統(tǒng)和應(yīng)用程序更有效地運行，并提高電源效率。

美光公司內(nèi)存事業(yè)部副總裁Brian Shirley說：“我們新推出4GB DDR3模塊，讓用戶輕松把握更大容量的內(nèi)存帶來的性能優(yōu)勢�！�

美光公司還宣布，其512MB、1GB和2GB DDR3筆記本內(nèi)存模塊已通過英特爾公司的驗證，可用于即將推出的Intel Centrino 2處理器技術(shù)移動平臺。美光的4GB DDR3筆記本內(nèi)存模塊目前正在接受英特爾公司的驗證。如需查閱已獲英特爾芯片平臺驗證的完整產(chǎn)品列表，

英特爾公司行業(yè)計劃與業(yè)務(wù)渠道拓展總監(jiān)Ali Sarabi說：“美光公司正在開發(fā)的DDR3內(nèi)存產(chǎn)品將在2008年為英特爾的高性能桌面、工作站、服務(wù)器和移動平臺提供支持。DDR3架構(gòu)和DDR3產(chǎn)品對于英特爾的領(lǐng)先產(chǎn)品路線圖至關(guān)重要�！�

美光公司的DDR3內(nèi)存模塊支持的數(shù)據(jù)速率最高可達每秒1333兆位，系統(tǒng)和圖形的性能都會因此得到改善，可為用戶帶來互動性更強的使用體驗。DDR3的電源電壓為1.5伏特，相比DDR2的1.8伏特電源電壓，功耗最多可降低30%。

美光的512MB、1GB和2GB內(nèi)存模塊現(xiàn)已投入量產(chǎn)，基于2Gb組件的DDR3 4GB內(nèi)存模塊預(yù)計于2008年第二季度投入量產(chǎn)。了解這些產(chǎn)品的詳細情況，請訪問：www.micron.com/ddr3sodimm。