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Infineon新推出LDMOS射頻功率晶體管
2008/4/2 13:17:09     英飛凌科技公司

(產(chǎn)通社,4月2日訊)英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)日前發(fā)表兩款新型LDMOS射頻功率晶體管,適用于無線通訊基礎架構應用領域,例如2.5GHz至2.7GHz之WiMAX。這兩款新產(chǎn)品提供之輸出功率峰值可達170瓦,進一步擴大英飛凌為WiMAX領域所提供射頻功率晶體管之產(chǎn)品種類,現(xiàn)有產(chǎn)品功率包括10瓦、45瓦及130瓦。新款LDMOS射頻功率晶體管之高峰值功率效能將可讓設計師簡化其射頻功率放大器之設計。

英飛凌科技公司射頻功率部門副總裁兼總經(jīng)理Helmut Volger表示:“在這兩款產(chǎn)品加入我們完整的產(chǎn)品項目之后,英飛凌將持續(xù)提供市場上功率峰值最高的射頻功率晶體管。隨著無線通訊基礎架構市場采用WiMAX及其它新技術,像英飛凌LDMOS射頻功率晶體管這樣具備先進特性及功能的產(chǎn)品,將成為設計師工具組合中的重要元素。較高的功率峰值可讓設計師開發(fā)出更單純的設計,并降低整體的零組件使用量。”

在WiMAX的訊號條件下,英飛凌的PTFA260851E/F85WFET可在平均輸出功率16瓦時,提升14dB(典型)及22%的效率(典型)。同樣在WiMAX的訊號條件下,英飛凌的PTFA261702E170WFET可在平均輸出功率32瓦時,提升15dB(典型)及20%的效率(典型)。

英飛凌PTFA261702E的額定功率為170瓦(P-1dB),在2.5GHz至2.7GHz頻段中,為業(yè)界最高之輸出功率峰值。此晶體管的架構可提供一半的電子隔離,更容易運用于Doherty功率放大器。此裝置亦可使用于推挽式(push-pull)組態(tài),以提升頻寬效能。

這兩款產(chǎn)品均采用無鉛且兼容于RoHS之陶瓷封裝。這些晶體管在28V電壓下運作,可提供頻寬內部匹配,并可在連續(xù)波(CW)功率輸出及供應電壓28V時,處理10:1 VSWR(voltage standingwaveratio)。

這兩款產(chǎn)品均已量產(chǎn),尋價等更多信息,請聯(lián)系:highpowerRF@infineon.com ,或致電:1-877-465-3667。

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