【產(chǎn)通社，1月23日訊】中國科學院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，株洲中車時代電氣股份有限公司國內(nèi)首條6英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線近期順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現(xiàn)4吋及6吋SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發(fā)與制造。與其他半導體材料相比，SiC具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿場強，以及高熱導率等優(yōu)異物理特點，是新一代半導體電力電子器件領(lǐng)域的重要發(fā)展趨勢。 

微電子所自2011年起與中車株洲電力機車研究所有限公司共建“新型電力電子器件聯(lián)合研發(fā)中心”，開展了SiC電力電子器件研制和產(chǎn)品開發(fā)，在大容量SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面取得了突破進展，實現(xiàn)了600-6500V/5-200A SiC SBD產(chǎn)品開發(fā)，以及600-1700V/5-20A SiC MOSFET器件研制。 

2017年8月，微電子所與株洲中車時代電氣股份有限公司共同完成了《高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研制與應用驗證》成果技術(shù)鑒定，實現(xiàn)了高性能SiC SBD 650V/150A、1200V/100A、1700V/50A、3300V/32A和5000V/3A五個代表品種和SiC MOSFET 600V/5A、1200V/20A和1700V/5A三個代表品種，產(chǎn)品處于國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平，部分產(chǎn)品已在地鐵車輛牽引系統(tǒng)、光伏逆變器、混合動力城市客車變流器等領(lǐng)域獲得應用�？萍疾吭敿殘蟮懒宋㈦娮铀擁棾晒M一步擴大了微電子所在寬禁帶電力電子器件領(lǐng)域的影響力。 

本次SiC生產(chǎn)線工藝調(diào)試的順利完成，將顯著提高我國核心功率半導體器件研發(fā)制造能力，為加快我國SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)布局、搶占未來科技和產(chǎn)業(yè)制高點提供有力技術(shù)支持。
 
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