【產(chǎn)通社，3月4日訊】安森美半導(dǎo)體公司（ON Semiconductor Corporation；NASDAQ股票代碼：ON）官網(wǎng)消息，其最新650V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)。

安森美半導(dǎo)體MOSFET業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示：“安森美半導(dǎo)體新推出的650V SiC二極管系列與公司現(xiàn)有的1200V SiC器件相輔相成，為客戶(hù)帶來(lái)更廣泛的產(chǎn)品范圍。SiC技術(shù)利用寬帶隙（WBG）材料的獨(dú)特特性，比硅更實(shí)惠，其穩(wěn)健的結(jié)構(gòu)為嚴(yán)苛環(huán)境中的應(yīng)用提供可靠的方案。我們的客戶(hù)將受益于這些簡(jiǎn)化的、性能更佳、尺寸設(shè)計(jì)更小的新器件。”


產(chǎn)品特點(diǎn)


最新發(fā)布的650V SiC二極管系列提供6-50A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容量和正溫度系數(shù)。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車(chē)/混和動(dòng)力電動(dòng)車(chē)（EV/HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類(lèi)應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。

這些650V器件提供的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓（VF）及SiC二極管的無(wú)反向恢復(fù)電荷能減少功率損耗，因而提高能效。SiC二極管更快的恢復(fù)速度令開(kāi)關(guān)速度更高，因此可以縮減磁性元件和其他無(wú)源元件的尺寸，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更小的整體電路設(shè)計(jì)。此外，SiC二極管可承受更高的浪涌電流，并在-55至+175°C的工作溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定性。

安森美半導(dǎo)體的SiC肖特基二極管具有獨(dú)特的專(zhuān)利終端結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)可靠性并提升穩(wěn)定性和耐用性。此外，二極管提供更高的雪崩能量、業(yè)界最高的非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān)（UIS）能力和最低的電流泄漏。


封裝與定價(jià)


650V SiC二極管器件提供DPAK、TO-220和TO-247封裝，每千件的單價(jià)為1.30-14.39美元。

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