【產(chǎn)通社，3月8日訊】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟2018年3月1日在北京舉行聯(lián)盟大會(huì)暨成果交流會(huì)。由長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司和中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合完成的“64Gb 32層三維存儲(chǔ)器集成工藝及芯片設(shè)計(jì)技術(shù)”榮獲聯(lián)盟技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。 

集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟于2017年3月成立，由國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域62家龍頭企業(yè)、著名高校、研究院所和半導(dǎo)體行業(yè)社會(huì)組織等共同發(fā)起。聯(lián)盟以國(guó)家戰(zhàn)略為指引，目標(biāo)是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平的快速提升，推動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展。 

在32層三維存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)過(guò)程中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中科院微電子所共同組成的新型存儲(chǔ)器聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)在3D NAND的工藝集成、存儲(chǔ)器件、電路設(shè)計(jì)等方面研發(fā)出多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，成功解決新型三維存儲(chǔ)器的工藝結(jié)構(gòu)、器件可靠性、讀寫(xiě)干擾抑制等技術(shù)難題。該芯片存儲(chǔ)密度等效于16nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的2D NAND技術(shù)，居于世界前沿水平。 

該產(chǎn)品芯片的研發(fā)成功，標(biāo)志著我國(guó)在閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域完成了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的整套技術(shù)開(kāi)發(fā)，為國(guó)家存儲(chǔ)器基地實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)提供了技術(shù)保障，也將對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生牽引和推動(dòng)作用。該項(xiàng)目同時(shí)創(chuàng)造了國(guó)內(nèi)企業(yè)和科研院所聯(lián)合創(chuàng)新、突破關(guān)鍵技術(shù)的成功案例，為集成電路產(chǎn)研合作模式提供了新的樣板。 
 
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