【產(chǎn)通社，3月20日訊】湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司（R&D Electronics；股票代碼：300046）2017年年度報(bào)告顯示，其報(bào)告期內(nèi)持續(xù)進(jìn)行的研發(fā)項(xiàng)目主要有7.5KV高壓器件、焊接模塊和IGBT模塊、ETO（新型高壓場(chǎng)控可關(guān)斷晶閘管器件）、高功率脈沖開關(guān)等，器件種類不斷豐富，除個(gè)別在研外均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，成為新的增長點(diǎn)，增強(qiáng)了公司的核心競爭力。

2017年，公司取得專利8項(xiàng)，具體利情況（名稱、專利類型、專利號(hào)、申請(qǐng)日期、期限）如下：
全壓接封裝高壓半導(dǎo)體器件    發(fā)明    ZL201210448143.X    2012年11月12日    20年
一種Al-Ga復(fù)合擴(kuò)散摻雜方法    發(fā)明    ZL201210554051.X    2012年12月19日    20年
母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊及其制作方法    發(fā)明    ZL201310217477.0    2013年05月31日    20年
高壓快開通晶閘管及其制造方法    發(fā)明    ZL201310374762.3    2013年08月26日    20年
一種緩沖層的擴(kuò)散方法    發(fā)明    ZL201310402933.9    2013年09月06日    20年
一種自對(duì)準(zhǔn)功率半導(dǎo)體芯片測(cè)試夾具    實(shí)用新型    ZL201621197593.6    2016年11月07日    10年
一種高壓整理管芯片    實(shí)用新型    ZL201621197366.3    2016年11月07日    10年
一種電力電子模塊門極引出裝置    實(shí)用新型    ZL201720457399.5    2017年04月27日   10年

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.tech-sem.com。（robin, 張底剪報(bào)）    （完）