（產(chǎn)通社，5月29日訊）英特爾公司與美光科技有限公司（紐約證券交易所：MU）日前推出了業(yè)內(nèi)首個亞40nm NAND儲存器件，從而揭開了34納米32Gb多級細胞芯片的神秘面紗。這一制程技術(shù)由英特爾與美光公司共同開發(fā)，由兩家公司的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies (IMFT)制造生產(chǎn)。它是市場上最小的制程幾何結(jié)構(gòu)。32Gb的NAND芯片是該密度下唯一適合標準48線纖細外形封裝(TSOP)的單片裝置，為提高現(xiàn)有應用產(chǎn)品的密度提供了一個低成本高效率的方法。

34納米32Gb的芯片將在300毫米的芯片上制造，每塊芯片大約生產(chǎn)1.6太字節(jié)的NAND。該芯片尺寸僅為172毫米，比拇指甲還小，它允許在小型化應用產(chǎn)品中使用高密度的固態(tài)存儲，經(jīng)濟實惠。單個32Gb芯片可以儲存2000多張高分辨率的數(shù)碼照片，或者在個人音樂播放器中存儲多達1000首歌。兩個8模堆疊封裝可以實現(xiàn)64千兆字節(jié)(GB)的存儲量，足以支持數(shù)碼攝像機錄制 8至40小時的高清錄像。
 
該34納米32Gb芯片針對固態(tài)硬盤設(shè)計。本產(chǎn)品可實現(xiàn)更經(jīng)濟實惠的SSD，立刻將這些設(shè)備的現(xiàn)有存儲容量擴大一倍，使當前的標準小型1.8英寸外形尺寸的驅(qū)動容量超過256GB。SSD已逐漸成為筆記本電腦的新存儲設(shè)備，與硬盤相比，它的功耗更低、開機時間更短、穩(wěn)定性更好、性能更強、噪音也更低。隨著NAND制程技術(shù)的改進（例如34納米NAND制程等），SSD現(xiàn)在可擁有多種不同容量，以滿足市場需求。

預計客戶樣品將于6月份開始發(fā)貨，預計在今年下半年進行量產(chǎn)。另外，英特爾和美光公司還計劃以34納米架構(gòu)為基礎(chǔ)，于本年底推出包括單級細胞產(chǎn)品在內(nèi)的低密度多級細胞產(chǎn)品。

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