2006年2月9日，北京訊 -- 麻省理工學(xué)院(MIT)的研究員將在著名的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上展示一款采用德州儀器(TI)先進(jìn)65納米CMOS工藝制造的超低功耗(ULP)256kb靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)測試器件。該款SRAM專為要求高性能、低功耗的電池供電設(shè)備開發(fā)而成，能夠提供業(yè)界最低的電壓，而且設(shè)計(jì)人員正在考慮為該產(chǎn)品采用TI的SmartReflex電源管理技術(shù)來延長移動產(chǎn)品的電池使用壽命。
    與0.6V的6T對應(yīng)產(chǎn)品相比，0.4V亞閾值的SRAM的泄漏功率降低了2.25倍。256kb SRAM利用TI 65納米工藝實(shí)現(xiàn)了更小巧的外形，每個(gè)位單元(bitcell)包含10顆晶體管，使工作電壓能夠降至400mV。
    MIT的Anantha P. Chandrakasan教授指出："超低功耗工作對許多新興商業(yè)和軍事應(yīng)用而言都是至關(guān)重要的。MIT研究生利用TI與DARPA的資金開發(fā)出了采用65納米CMOS工藝的超低電壓邏輯與存儲器電路，工作電壓低于400mV。供電電壓能降到如此低的水平，這對期望能耗最低的應(yīng)用至關(guān)重要，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)超動態(tài)的電壓縮放(U-DVS)。ULP技術(shù)的目的就是大幅降低功耗，同時(shí)盡可能減小對系統(tǒng)性能的影響。"

·MIT的亞閾值電路研究組
    SRAM開發(fā)是針對電池供電設(shè)備推出超低功耗(ULP)邏輯和存儲器計(jì)劃的一部分，建立在TI與MIT多年合作的基礎(chǔ)之上，并由美國國防高級研究計(jì)劃局(DARPA)提供部分資金。該合作項(xiàng)目致力于節(jié)約有限電力，使電壓降至亞閾值，并確保實(shí)現(xiàn)超低功耗與高性能。此外，開發(fā)存儲器模塊和邏輯與開關(guān)模式電源(SMPS)等其它功能也屬于該項(xiàng)目范圍。
    MIT的工作包括分析給定系統(tǒng)的最小功耗點(diǎn)，根據(jù)亞閾值電路的功耗特點(diǎn)進(jìn)行建模，以及電路類型與架構(gòu)的開發(fā)等。MIT以新興應(yīng)用為重點(diǎn)研究對象，因?yàn)槟茉葱实闹匾詫@些應(yīng)用來說大大超過了傳統(tǒng)的速度需求。

·擴(kuò)展SmartReflex技術(shù)
    MIT與TI聯(lián)合開發(fā)的SRAM器件建立在TI先進(jìn)的65納米工藝基礎(chǔ)之上，其集成的多種技術(shù)能夠充分滿足業(yè)界日益增長的低功耗要求。多媒體及其他高級功能對處理能力的要求不斷提高，同時(shí)逐步降低功耗并控制散熱也變得至關(guān)重要，這對無線應(yīng)用而言尤為如此。TI解決方案是 SmartReflex動態(tài)電源管理技術(shù)，這種技術(shù)可根據(jù)用戶需求自動調(diào)節(jié)電源電壓，從而有助于控制功耗。
    SmartReflex技術(shù)通過監(jiān)控電路速度可以動態(tài)地調(diào)節(jié)電壓，以便在不降低系統(tǒng)性能的情況下準(zhǔn)確地滿足性能要求。因此，對于每一種工作頻率而言，我們都能恰到好處地采用最低的功率，這就延長了電池的使用壽命，并降低了設(shè)備產(chǎn)生的熱量。SmartReflex技術(shù)能夠?qū)?56kb SRAM的電壓調(diào)節(jié)至亞閾值，這進(jìn)一步突顯和擴(kuò)展了其強(qiáng)大的功能。