【產(chǎn)通社，6月7日訊】Transphorm Inc.消息，其第三代（Gen III）650VGaN FET采用Gen III技術的功率晶體，可降低電磁干擾（EMI），提高柵極噪聲抑制能力，在于電路應用中可提供更大的設計余量。此屢獲殊榮的平臺，其改革起源于Transphorm團隊與客戶共同合作于生產(chǎn)或即將發(fā)布的終端產(chǎn)品設計所獲得的知識。即將發(fā)布的Gen III組件包含TP65H050WS 50mΩFET和TP65H035WS 35mΩFET，兩者均采用標準TO-247封裝。


產(chǎn)品特點


Transphorm是唯一擁有開發(fā)FET中各種階段所需之關鍵技術的GaN半導體公司之一。有鑒于此，在借助Gen I及Gen II的平臺和客戶共同開發(fā)設計時所獲知識能被應用于GaN on-Si技術，以提高晶體管的質(zhì)量、可靠性和性能。經(jīng)由所匯集的數(shù)據(jù)還能促進開發(fā)技巧，簡化設計的復雜度，提高安全質(zhì)量和/或進一步增進電源系統(tǒng)的性能。

進一步地探究邁向Gen III所帶來的機會主要有二：大幅增加GaN技術本身固有的優(yōu)點并增強了FET的性能。此外，設計和制造的創(chuàng)新使Transphorm能夠降低組件價格，創(chuàng)造更佳的投報率。

就技術上而言，新型MOSFET與其它設計修改的結合使Gen III組件能夠提供：將Gen II的柵極門坎電壓（噪聲抗擾性）從2.1V提高到4V，無需使用負壓柵極驅動；柵極可靠性額定值為±20V；比第二代增加11%。因此，切換更安靜，同時此平臺可簡化外部電路并可操作于更高的電流水平和實現(xiàn)更好的性能。

關于已獲悉到的一些設計技術，Transphorm在其app note 0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs發(fā)布了妥善用于抑制振蕩的解決方案。范例中建議使用包括直流鏈RC緩沖器和開關節(jié)點RC緩沖器，上述對策增加了穩(wěn)定性且不會對效率產(chǎn)生不利影響。值得注意的是，上述解決方案可以使半橋和無橋式圖騰柱PFC拓撲受益。


供貨與報價


新產(chǎn)品目前出貨中。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.transphormusazn.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）