【產(chǎn)通社，7月28日訊】長江存儲科技有限責(zé)任公司（Yangtze Memory Technologies Co., Ltd., YMTC）官網(wǎng)消息，當(dāng)?shù)貢r間8月7日下午3時（北京時間8月8日晨6時），長江存儲CEO楊士寧博士將于圣克拉拉會議中心（加尼福尼亞州，美國）發(fā)表《創(chuàng)新架構(gòu)，釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。屆時，楊士寧博士將會介紹此項技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時使存儲密度達到行業(yè)領(lǐng)先水平，實現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時代躍進。

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，長江存儲今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking。長江存儲是中國首家進軍高門檻NAND閃存行業(yè)的公司，此次揭曉的Xtacking新型架構(gòu)技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的高性能，更高的存儲密度，以及更短的上市周期。


產(chǎn)品特點


Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來前所未有的超高傳輸速率，從而將NAND閃存應(yīng)用產(chǎn)品，如UFS、消費級及企業(yè)級SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業(yè)伙伴以及標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)的合力幫助下，Xtacking將為高性能的智能手機、個人計算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用展開新篇章。

Xtacking技術(shù)實現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。


供貨與報價


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