【產(chǎn)通社，8月10日訊】三菱電機(jī)株式會(huì)社（Mitsubishi Electric Corporation；TOKYO股票代碼：6503）官網(wǎng)消息，2018 IEEE國際未來能源挑戰(zhàn)賽（IFEC）決賽及國際研討會(huì)環(huán)節(jié)7月19-21日在清華大學(xué)舉行。今年的競賽題目為“面向戶用儲(chǔ)能的高效率高功率密度隔離型DC-DC變換器”，共計(jì)10支高校隊(duì)伍進(jìn)入到?jīng)Q賽環(huán)節(jié)。最終經(jīng)過激烈的角逐，西安交通大學(xué)隊(duì)伍從10支隊(duì)伍中脫穎而出，獲得大賽第一名。

IFEC，這一國際上新能源發(fā)電領(lǐng)域最高級別的大學(xué)生創(chuàng)新競賽，一直以來，備受業(yè)界關(guān)注。而功率器件又是推動(dòng)未來能源及節(jié)能事業(yè)的關(guān)鍵。三菱電機(jī)在功率器件領(lǐng)域深耕多年，以金牌贊助商的身份參與到今年的大賽中。
 
在21日的國際研討會(huì)上，三菱電機(jī)功率器件制作所高級工程師今泉昌之博士發(fā)表“電力電子變換器用最新SiC功率器件”的主題報(bào)告，并從SiC功率器件的優(yōu)勢、三菱電機(jī)最新SiC MOSFET技術(shù)、SiC器件應(yīng)用三方面逐一展開。今泉先生首先運(yùn)用芯片結(jié)構(gòu)差異和開關(guān)波形兩大關(guān)鍵要素，將SiC-MOSFET與傳統(tǒng)Si器件進(jìn)行比較，SiC有效減少功率損耗的優(yōu)良特性自此展露無遺。同時(shí)，把SiC技術(shù)應(yīng)用到功率器件上，將能進(jìn)一步促進(jìn)功率器件往小型化、高效低損耗、高頻高性能、耐高溫等方向優(yōu)化，比如三菱電機(jī)的SiC產(chǎn)品就是很好的佐證。其后的報(bào)告中，今泉先生便提到，目前，三菱電機(jī)已將小到15A/600V，大到750A/3300V的SiC-MOSFET模塊推向市場。而在SiC器件應(yīng)用方面，三菱電機(jī)的SiC產(chǎn)品更被實(shí)際應(yīng)用在家用空調(diào)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽能功率變換器、鐵路牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)及風(fēng)電變流器等領(lǐng)域，可見其輻射范圍已相當(dāng)廣泛。最后，今泉先生表示，業(yè)界對于SiC產(chǎn)品的應(yīng)用研究已在很大程度上被激活，SiC技術(shù)也一直在穩(wěn)態(tài)中逐步向前發(fā)展，有理由相信隨著SiC芯片的成本不斷降低，SiC器件的應(yīng)用將越來越普及。
 
查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.mitsubishielectric-mesh.com/news/topics.php。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）