（產(chǎn)通社，7月15日訊）全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier)推出25V同步降壓式轉(zhuǎn)換器DirectFET MOSFET芯片組，適用于負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，以及服務(wù)器、高端臺(tái)式和筆記本電腦應(yīng)用。

新25V芯片組結(jié)合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，在SO-8占位面積及0.7mm纖薄設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高密度、單控制和單同步MOSFET解決方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特點(diǎn)包括：非常低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))、柵極電荷(Qg)和柵漏極電荷(Qgd) ，以實(shí)現(xiàn)高效率和散熱性能，并可實(shí)現(xiàn)每相超過25A的工作。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6710S2控制MOSFET具備極低的柵極電阻(Rg)及電荷，而且當(dāng)與IRF6795M和IRF6797M這些集成了肖特基整流器的同步MOSFET共同設(shè)計(jì)時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，在整個(gè)負(fù)載范圍發(fā)揮卓越性能�！�

IRF6710S擁有0.3Ω的極低柵極電阻和3.0nC的超低米勒電荷(Qgd) ，可以大幅減低開關(guān)損耗，使這些器件非常適合作為控制MOSFET使用。

IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，可以顯著減少導(dǎo)通損耗，而集成的肖特基整流器可以降低二極管導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，使這些新器件非常適合大電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面積，能輕易由原有SyncFET器件轉(zhuǎn)向使用新器件。

新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (RoHS)，并已接受批量訂單。
 
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