（產(chǎn)通社，7月22日訊）意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出了一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。

STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開(kāi)關(guān)損耗低，抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時(shí)，封裝的額定功率為300W。

250A高額定電流

通過(guò)250A的高額定電流，工程師可以設(shè)計(jì)多個(gè)并聯(lián)的MOSFET，達(dá)到節(jié)省電路板空間和材料成本的目的。標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)閾壓還有助于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，適用于高達(dá)55V的電力設(shè)備。

高達(dá)175℃的工作溫度

高達(dá)175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強(qiáng)電流電力牽引設(shè)備，如叉車(chē)、高爾夫球用車(chē)和電動(dòng)托盤(pán)裝卸車(chē)以及割草機(jī)、電動(dòng)輪椅和電動(dòng)自行車(chē)。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過(guò)100%的雪崩測(cè)試，為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達(dá)到汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

在同一個(gè)產(chǎn)品系列，ST還有一款型號(hào)為55V STV200N55F3的產(chǎn)品，該產(chǎn)品的額定漏極連續(xù)電流為200A，源極連線配置為4線。

STV250N55F3樣片即刻上市銷(xiāo)售，預(yù)計(jì)2008年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.stmicroelectronics.com.cn。