（產(chǎn)通社，7月22日訊） 混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商——IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）宣布，其不斷擴(kuò)大的多口RAM系列又添兩個(gè)新型雙口RAM器件：70P3519和70P3599。該IDT解決方案有助于客戶通過(guò)解決芯片間連接問(wèn)題，增加帶寬并降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性，同時(shí)通過(guò)使用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的成熟器件，實(shí)現(xiàn)快速上市。

從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信，新的9Mb和4Mb雙端口器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá)200MHz的性能，以滿足苛刻的存儲(chǔ)器緩沖要求。這兩款器件采用1.8V內(nèi)核電壓，比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。雙端口器件集成了存儲(chǔ)器和控制邏輯，可以通過(guò)獨(dú)立端口實(shí)現(xiàn)對(duì)通用中央存儲(chǔ)器的同時(shí)存取。

新的9Mb IDT 70P3519和4Mb 70P3599是高速256K/128K x 36位同步雙端口器件。兩款器件可提供完整的同步功能，有助于IDT的客戶優(yōu)化其設(shè)計(jì)，獲得更高的性能和更低的功耗。此外，這兩款器件還有助于客戶同時(shí)存取單個(gè)存儲(chǔ)器地址，而無(wú)需外部器件。同步功能包括計(jì)數(shù)器、多個(gè)獨(dú)立的芯片使能和字節(jié)使能（byte enable）及同步中斷。此外，控制寄存器、數(shù)據(jù)和地址輸入可實(shí)現(xiàn)最短的設(shè)置和保持時(shí)間，以便使產(chǎn)品更快上市。通過(guò)采用輸入數(shù)據(jù)寄存器，這兩款雙端口器件為具有單向或雙向數(shù)據(jù)流突發(fā)的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。一個(gè)由CE0和CE1芯片使能引腳控制的自動(dòng)掉電特性，可允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入一種非常低待機(jī)功耗的模式。

70P3519和70P3599能夠支持一個(gè)或兩個(gè)端口上3.3V、2.5V或1.8V的I/O電壓。這兩款器件的內(nèi)核電源（VDD）為1.8V。

70P3519和70P3599均采用與現(xiàn)有IDT雙端口解決方案一樣的封裝：256引腳球柵陣列（BGA）、208引腳塑料方形扁平（PQFP）和208引腳細(xì)間距球柵陣列（fpBGA）。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.idt.com/go/synch-dp。