【產(chǎn)通社，9月10日訊】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所（Shanghai Institute of Ceramics of the Chinese Academy of Sciences，SICCAS）官網(wǎng)消息，高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷基板具有高導(dǎo)熱、高機(jī)械強(qiáng)度、高電絕緣、良好的抗熱沖擊以及低膨脹等特點(diǎn)，綜合性能優(yōu)于目前常用的氮化鋁和氧化鋁基板。氮化硅陶瓷基板在高端大功率電力、電子器件上有廣泛的應(yīng)用前景，可應(yīng)用在高鐵、新能源汽車(chē)、LED照明、風(fēng)力發(fā)電和航空航天等行業(yè)。目前國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)水平落后導(dǎo)致國(guó)內(nèi)相關(guān)市場(chǎng)被歐、美、日等國(guó)家所壟斷。

曾宇平研究員團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間研發(fā)，在高性能氮化硅基板材料領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)對(duì)材料組分設(shè)計(jì)、顯微結(jié)構(gòu)調(diào)控、成型及燒結(jié)工藝等各環(huán)節(jié)精確控制和優(yōu)化，突破了大尺寸高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷基板研制關(guān)鍵技術(shù)，成功研制了高穩(wěn)定性高熱導(dǎo)氮化硅基板。目前氮化硅基板平均熱導(dǎo)率為95W/（m·k），最優(yōu)可達(dá)到120W/（m·k），尺寸達(dá)到120×120mm2，厚度0.32mm，且外形尺寸能根據(jù)實(shí)際需求調(diào)整。同時(shí)實(shí)現(xiàn)了氮化硅基板的覆銅，打通了高熱導(dǎo)氮化硅基板批量化生產(chǎn)的工藝路線。目前商用氮化硅陶瓷基片的熱導(dǎo)率一般在80～90W/（m·k）（如東芝的氮化硅基片（TSN-90）的熱導(dǎo)率為90W/（m·k）），因此本產(chǎn)品的性能指標(biāo)完全能夠滿(mǎn)足商業(yè)化的需求。高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷基板的研究成功，將為國(guó)產(chǎn)大功率半導(dǎo)體器件，特別是IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的生產(chǎn)和研發(fā)提供有力支撐，預(yù)計(jì)將具有很強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。
 
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