【產(chǎn)通社，10月3日訊】Littelfuse公司（NASDAQ股票代碼：LFUS）官網(wǎng)消息，其推出了首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000. 最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝，具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：專為高頻、高效應(yīng)用優(yōu)化；極低柵極電荷和輸出電容；低柵極電阻，適用于高頻開(kāi)關(guān)。

Littelfuse半導(dǎo)體事業(yè)部電源半導(dǎo)體全球產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Michael Ketterer表示，“此產(chǎn)品可改善現(xiàn)有應(yīng)用，并且Littelfuse應(yīng)用支持網(wǎng)絡(luò)可促進(jìn)新的設(shè)計(jì)方案。碳化硅MOSFET可為基于硅的傳統(tǒng)功率晶體管器件提供富有價(jià)值的替代選擇。相比同類IGBT，MOSFET器件結(jié)構(gòu)可減少每個(gè)周期的開(kāi)關(guān)損耗并提高輕載效率。固有的材料特性讓碳化硅MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面優(yōu)于硅MOSFET。” 


產(chǎn)品特點(diǎn)


碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴(yán)格的應(yīng)用提供多重優(yōu)勢(shì)，包括電動(dòng)和混動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心及輔助電源。相比同類的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可帶來(lái)一系列系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化機(jī)會(huì)，包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本的可能性。

此外，相比市面上其他業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅MOSFET器件，Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更優(yōu)越的性能。碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應(yīng)用包括：太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)模式和不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、感應(yīng)加熱。


供貨與報(bào)價(jià)


LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只裝TO-247-3L管式封裝。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.littelfuse.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）