【產(chǎn)通社，10月11日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia；原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）官網(wǎng)消息，其NextPower Live線性模式MOSFET系列的最新產(chǎn)品——PSMN3R7-100BSE提供強(qiáng)大的安全操作區(qū)（SOA）和較低RDS（on）的最佳組合，非常適用于熱插拔、軟啟動(dòng)和電子熔斷器應(yīng)用。

Nexperia的產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker表示：“服務(wù)器和通信基礎(chǔ)設(shè)施公司正在將越來越強(qiáng)大的處理能力集中于葉片和基于機(jī)架的系統(tǒng)中，不斷推高電力需求�？煽康臒峤粨Q操作對(duì)于管理啟動(dòng)過程中遇到的浪涌電流至關(guān)重要，但隨著功率水平和效率要求的提高，低RDS（on）也變得越來越重要。Nexperia的NextPower Live MOSFET提供了強(qiáng)SOA和低RDS（on）的標(biāo)準(zhǔn)組合，允許工程師設(shè)計(jì)超堅(jiān)固的熱插拔解決方案來管理浪涌電流，而較低的RDS（on）可以提供最高水平的效率�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比，新型PSMN3R7-100BSE MOSFETs改善了SOA，其線性模式性能提高了4倍，最大RDS（on）僅為3.95m?（典型值為3.36m?）——比以前的器件內(nèi)阻約低18%。這些N溝道100V器件為D2PAK封裝，結(jié)溫為175°C。此外，這些器件與所有領(lǐng)先制造商的熱交換控制器完全兼容。

將具有高SOA的MOSFET與熱插拔控制器結(jié)合使用，旨在管理交換服務(wù)器主機(jī)板或其他插拔式系統(tǒng)時(shí)可能出現(xiàn)的高浪涌電流，確保順利啟動(dòng)處理器板。前幾代器件已經(jīng)在SOA與RDS（on）之間做了優(yōu)化，而新技術(shù)在不影響RDS（on）的情況下使SOA實(shí)現(xiàn)了最大化，從而保持了較高的操作效率水平。


供貨與報(bào)價(jià)


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