【產(chǎn)通社，10月19日訊】華虹半導(dǎo)體有限公司（Hua Hong Semiconductor Limited；HKEX股票代碼：01347）官網(wǎng)消息，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn)，該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。

第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺40V DMOS擊穿電壓達到52V，達到該節(jié)點領(lǐng)先工藝水平，可提高產(chǎn)品的驅(qū)動能力 ，減小芯片面積，擴大高壓管安全工作區(qū)（Safe-Operation-Area, SOA），保證產(chǎn)品的高可靠性。該工藝平臺最少光罩層數(shù)為18層。該工藝平臺提供豐富的可選擇器件，包括高阻、電容、Zener二極管、肖特基二極管等。此外，該平臺還提供in-house設(shè)計的標準單元庫、SRAM編譯程序、IO和eFuse，從而為電源管理芯片提供完善的設(shè)計解決方案。

目前，在與國內(nèi)外多家客戶緊密合作下，公司已完成應(yīng)用于電機驅(qū)動、快充、通訊、安防、DC-DC、LDO等多個領(lǐng)域芯片產(chǎn)品的驗證，并成功進入量產(chǎn)。

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