【產(chǎn)通社，11月2日訊】德州儀器（Texas Instruments Incorporated；NASDAQ股票代碼：TXN）官網(wǎng)消息，其新型且立即可用的600V氮化鎵（GaN）、50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合，能支持高達10kW應用。與應用于AC/DC電源供應器、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎設施、通訊和個人電子的場效應晶體管（FETs）相比，LMG341x產(chǎn)品系列能協(xié)助工程師打造更小、更高效且更高性能的設計。


產(chǎn)品特點


GaN FET產(chǎn)品系列擁有整合獨特的功能與保護特性，不僅簡化設計，同時實現(xiàn)更高的系統(tǒng)可靠度與優(yōu)化高壓電源供應的性能，進一步為傳統(tǒng)串接（cascade）和獨立（stand-alone）的GaN FET提供了智慧替代解決方案。透過整合的<100ns電流限制和過熱偵測（overtemperature detection）功能，此裝置可防止意外的直通事件（shoot-through）與熱失控（thermal runaway）發(fā)生，且系統(tǒng)接口訊號提供了自我監(jiān)測的能力。

LMG3410R050、LMG3410R070與LMG3411R070的主要特性和優(yōu)勢包括：
- 更小、更有效率的解決方案：與硅的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）相比，TI的整合式GaN功率級可將功率密度提高一倍，并降低功率損耗達80%。每個裝置皆具備1MHz高速開關頻率和高達100V/ns的電壓上升斜率（slew rates）。
- 系統(tǒng)可靠度：此產(chǎn)品組合通過2000萬小時的裝置可靠度測試，包括加速與加速及in-application硬開關試驗。此外，每款裝置均提供整合的散熱、高速與100ns過流保護，以防止發(fā)生直通和短路事件。
- 適用于各式功率級別的裝置：在50mΩ或70mΩ條件下，產(chǎn)品組合中的每個裝置均提供GaN FET、驅(qū)動器與保護特性，為小于100-10kW的應用提供單芯片解決方案。


供貨與報價


這些裝置均采用8×8mm split-pad、四方扁平無引線（QFN）封裝，現(xiàn)已可于TI store購買。LMG3410R050、LMG3410R070與LMG3411R070的售價分別為$18.69美金、$16.45美金與$16.45美金（基本訂購量以1000個為單位）。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.ti.com/pr/cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）