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意法半導(dǎo)體PWD5F60高功率驅(qū)動器采用多基島VFQFPN封裝
2018/11/10 21:58:24     

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【產(chǎn)通社,11月10日訊】意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;NYSE股票代碼:STM)官網(wǎng)消息,其PWD5F60高功率驅(qū)動器在15×7mm封裝內(nèi)集成了600V/3.5A MOSFET單相全橋與柵極驅(qū)動器、自舉二極管、保護(hù)功能和兩個比較器。散熱效率更高的系統(tǒng)級封裝比分立器件少占用電路板空間60%,同時可提高可靠性,簡化設(shè)計和封裝。PWD5F60是為控制工業(yè)泵、工業(yè)風(fēng)扇、鼓風(fēng)機(jī)、家電和工廠自動化等系統(tǒng)中的有刷直流電機(jī)專門設(shè)計的單相全橋模塊,特別適用于采用單相無刷電機(jī)以保證高耐用性、高能效且成本合理的產(chǎn)品設(shè)備,良好的經(jīng)濟(jì)性和便利性使其也適用于電源。


產(chǎn)品特點(diǎn)


PWD5F60內(nèi)部集成導(dǎo)通電阻為1.38Ω的N溝道MOSFET,優(yōu)異的能效確保其能夠處理中等功率負(fù)載。優(yōu)化的柵極驅(qū)動器可提升開關(guān)可靠性,降低EMI(電磁干擾),而集成的自舉二極管可實(shí)現(xiàn)高壓啟動,高邊輸入供電無需外部二極管和無源器件。

兩個未受限的嵌入式比較器確保模塊配置靈活多變,可以輕松實(shí)現(xiàn)峰值電流控制或過流和過熱保護(hù)功能。峰值電流控制配合霍爾效應(yīng)定位傳感器,無需專用MCU即可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的控制器,從而大幅降低控制電子系統(tǒng)成本。其它靈活性功能包括可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間以及將MOSFET配置為單個全橋或兩個半橋。工作電壓范圍從10V擴(kuò)至20V,輸入兼容3.3-15V控制信號,簡化模塊與霍爾傳感器或主微控制器或DSP的連接。

驅(qū)動器模塊已經(jīng)內(nèi)置防交叉?zhèn)鲗?dǎo)和欠壓鎖定兩項(xiàng)保護(hù)功能,以防止器件在低效率或危險條件下工作。


供貨與定價


PWD5F60現(xiàn)已量產(chǎn)并上市銷售,采用多基島VFQFPN封裝。查詢進(jìn)一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www.st.com/pwd。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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