【產(chǎn)通社，12月12日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，2018國際電子器件大會（IEDM）近日在美國舊金山召開，劉明院士科研團(tuán)隊展示了28nm嵌入式阻變存儲器可靠性優(yōu)化以及基于HfZrO鐵電FinFET器件的最新研究成果。  

對于新型存儲器RRAM，初始電形成過程會增加電路設(shè)計復(fù)雜度，帶來可靠性問題，一直是工業(yè)界和科研界研究的熱點。劉明院士團(tuán)隊在RRAM方向的研究具有豐富的經(jīng)驗，針對28nm的1Mb RRAM測試芯片（IEDM 2017 2.4.1），提出了高溫forming的編程方法，可以將平均forming電壓從2.5V以上降為1.7V。由于高溫forming過程中細(xì)絲內(nèi)殘留的氧離子大幅減少，編程之后由于氧離子和氧空位復(fù)合造成的電阻弛豫效應(yīng)得到消除，器件的保持特性得到了40以上的大幅提升。 

針對先進(jìn)工藝節(jié)點的嵌入式存儲器缺失問題，劉明院士團(tuán)隊與殷華湘研究員合作提出了基于HZO鐵電FinFET的混合存儲器件。該器件在電荷俘獲模式下，表現(xiàn)出高耐久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的數(shù)據(jù)保持特性（104@85°C），與DRAM的性能相近，為在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。當(dāng)器件工作在電籌翻轉(zhuǎn)模式下的時候，器件表現(xiàn)出非常好的數(shù)據(jù)保持特性（>10年）以及對讀取信號串?dāng)_的免疫能力，使該器件同時具有優(yōu)越的不揮發(fā)存儲特性。 

基于上述成果的2篇研究論文入選2018國際電子器件大會。第一作者許曉欣博士、羅慶博士分別在大會上作了口頭報告。兩篇論文的通訊作者均為呂杭炳研究員和劉明院士。 

IEEE國際電子器件大會始于1954年，現(xiàn)已成為全球報道半導(dǎo)體及電子領(lǐng)域最新的科技、研發(fā)設(shè)計、制造、物理學(xué)及建模技術(shù)的主要論壇，旨在為產(chǎn)學(xué)研界的研究學(xué)者提供關(guān)于電子器件最新研究進(jìn)展和研究成果的國際交流平臺。

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.ime.cas.cn。（robin, 張底剪報）    （完）