【產(chǎn)通社，12月21日訊】北京耐威科技股份有限公司（BEIJING NAVGNSS INTEGRATION CO. LTD；股票代碼：300456）官網(wǎng)消息，其控股子公司——聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司近日成功研制“8吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”。

自成立以來，聚能晶源積極投入研發(fā)，充分發(fā)揮核心團隊的技術(shù)優(yōu)勢，先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應(yīng)力控制、高耐壓GaN外延生長等技術(shù)難關(guān)，成功研制了達到全球業(yè)界領(lǐng)先水平的8吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實現(xiàn)了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求。聚能晶源8吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延生長腔體及外延晶圓實物圖如下：

本次“8吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時可靠性的8吋GaN外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，且在采用國際業(yè)界嚴苛判據(jù)標準的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢，能夠保障相關(guān)材料與技術(shù)在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領(lǐng)域得到安全可靠的應(yīng)用。

與第二代半導(dǎo)體硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等材料相比，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）具有更大的禁帶寬度（>3eV），一般也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。得益于禁帶寬度的優(yōu)勢，GaN材料在擊穿電場、本征載流子濃度、抗輻照能力方面都明顯優(yōu)于Si、GaAs等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。此外，GaN材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面也較Si更為優(yōu)異，因此特別適用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件，在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

與此同時，將GaN外延生長在硅襯底之上，可以有效地結(jié)合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圓的大尺寸、低成本優(yōu)勢。基于先進的GaN-on-Si技術(shù)，可以在實現(xiàn)高性能GaN器件的同時將器件制造成本控制在與傳統(tǒng)Si基器件相當(dāng)?shù)某潭取Ｒ虼�，GaN-on-Si技術(shù)也被業(yè)界認為是新型功率與微波電子器件的主流技術(shù)。

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