【產(chǎn)通社，4月22日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia）官網(wǎng)消息，其已采用Trench 11技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗的NextPower S3 MOSFET，該項(xiàng)突破并不影響其他重要參數(shù)，例如漏極電流（ID（max））、安全工作區(qū)域（SOA）或柵極電荷QG。

Power MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Steven Waterhouse先生表示：“安世半導(dǎo)體結(jié)合其獨(dú)有的NextPowerS3超結(jié)技術(shù)與LFPAK封裝，提供了具有低導(dǎo)通阻抗、高額定ID最大電流的MOSFET，同時(shí)不影響其SOA等級(jí)、質(zhì)量和可靠性。這使新元件充分滿足要求高性能、高可靠性和高容錯(cuò)性的應(yīng)用需求。其中包括無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)控制（全橋式三相拓?fù)洌�；ORing服務(wù)器電源、熱插拔操作和同步整流；蓄電池保護(hù)；手機(jī)快速充電和直流負(fù)荷開關(guān)�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


很多應(yīng)用均需要超低導(dǎo)通阻抗，例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機(jī)控制與蓄電池保護(hù)等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而,具備類似導(dǎo)通阻抗的一些同類器件，由于縮小晶圓單元間隔,其SOA（評(píng)估MOSFET耐受性的性能）和最大ID額定電流需要降額。

PSMNR58-30YLH MOSFET的最大導(dǎo)通阻抗僅0.67歐姆,其最大額定漏極電流提升至380A。該參數(shù)對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用尤為重要，因?yàn)殡姍C(jī)堵轉(zhuǎn)的瞬間會(huì)產(chǎn)生超大電涌，MOSFET必須可以承受這些電涌，才能確保安全可靠運(yùn)行。一些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手僅提供計(jì)算出的最大ID電流，但安世半導(dǎo)體產(chǎn)品實(shí)測(cè)持續(xù)電流能力高達(dá)380A，并且100%最終生產(chǎn)測(cè)試的持續(xù)電流值高達(dá)190A。

該器件支持LFPAK56（Power-SO8）和LFPAK33（Power33）封裝，二者均采用獨(dú)特的銅夾結(jié)構(gòu)，可吸收熱應(yīng)力，提升質(zhì)量和可靠性。LFPAK56封裝的PSMNR58-30YLH，4引腳Power-SO8封裝）其安裝尺寸僅30平方毫米，管腳間距1.27毫米。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/seeking-the-perfect-power-switch.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）