【產(chǎn)通社，5月7日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia；原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）官網(wǎng)消息，其MOSFET和LFPAK系列的新封裝與最新硅技術(shù)相結(jié)合，可產(chǎn)生40V MOSFET，且提供0.7mΩ的較低RDS（on）。LFPAK88器件取代了較大的功率封裝，如D2PAK和D2PAK-7。8×8mm的尺寸使得占位面積減少了60%，外形尺寸減小了64%。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Neil Massey評(píng)論道：“將LFPAK88與我們的硅技術(shù)相結(jié)合，可以使MOSFET的功率密度達(dá)到D2PAK的48倍。這證明了LFPAK的發(fā)明者Nexperia仍然是這項(xiàng)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


LFPAK88 MOSFET分為汽車級(jí)（BUK）和工業(yè)級(jí)（PSMN）兩種。汽車應(yīng)用包括制動(dòng)、助力轉(zhuǎn)向、反向電池保護(hù)和DC-DC轉(zhuǎn)換器，通過使用這種封裝器件可以節(jié)省空間，這點(diǎn)在雙冗余電路中特別有用。工業(yè)應(yīng)用包括電池供電的電動(dòng)工具、專業(yè)電源和電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備。 

與其他性能通常受內(nèi)部鍵合線限制的封裝不同，LFPAK88器件采用銅片夾和焊接芯片連接結(jié)構(gòu)，可降低電阻和熱阻，實(shí)現(xiàn)良好的電流擴(kuò)散和散熱。此外，銅夾的熱導(dǎo)性能還幫助減少了熱點(diǎn)的形成，從而改善了雪崩能量（Eas）和線性模式（SOA）性能。經(jīng)驗(yàn)證的高連續(xù)電流額定值ID（最大值）425A與低RDS（on）0.7mΩ結(jié)合在小尺寸封裝中，其具有市場(chǎng)領(lǐng)先的功率密度，與D2PAK封裝器件相比，最高可提高達(dá)48倍。

此外，LFPAK88 具有低應(yīng)力鷗翼引腳，是一種更堅(jiān)固耐用且耐熱的封裝，其可靠性水平比AEC-Q101要求的性能高出兩倍多。


供貨與報(bào)價(jià)


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