【產(chǎn)通社，6月25日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，在近日于日本召開的VLSI國際研討會（2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits）上，劉明院士科研團(tuán)隊在會上展示了高性能選通管的最新研究進(jìn)展。 

交叉陣列中的漏電流問題是電阻型存儲器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障礙，研制具有高疲勞特性、高均一性的通用選通管對于實現(xiàn)上述存儲器的高密度三維交叉陣列集成具有重要意義。劉明院士團(tuán)隊設(shè)計了一種基于NbOx的高性能選通器件，通過對氧元素分布的調(diào)節(jié)與隧穿層的引入，實現(xiàn)了高開態(tài)電流密度（4.8MA/cm2）、高操作速度（10ns）、高疲勞特性(>1012)。在機(jī)理研究方面，基于變溫測試結(jié)果及第一性原理計算，提出了基于熱失控（Thermal runaway）結(jié)合肖特基勢壘的電荷傳輸模型。這為RRAM等新型存儲器的高密度集成提供了解決方案。 

上述研究成果以題為“Nb1-xO2 based Universal Selector with Ultra-high Endurance (>1012), high speed (10ns) and Excellent Vth Stability”的論文入選2019 VLSI Technology。微電子所羅慶博士為第一作者，呂杭炳研究員和劉明院士為通訊作者。 

VLSI與ISSCC、IEDM并稱微電子技術(shù)領(lǐng)域的“奧林匹克盛會”，是超大規(guī)模集成電路和半導(dǎo)體器件領(lǐng)域里最頂尖的國際會議之一，也是展現(xiàn)IC技術(shù)最新成果的櫥窗。截止2019年的VLSI，中國大陸地區(qū)在VLSI技術(shù)研討會總共入選論文18篇，該論文是劉明院士團(tuán)隊繼2016年之后的第二篇入選文章。 

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