【產(chǎn)通社，7月20日訊】杭州士蘭微電子股份有限公司（Silan Microelectronics；股票代碼：600460）官網(wǎng)消息，其內(nèi)置大功率MOSFET的SSR反激電源管理芯片SDH8666Q系列采用自有專利EHSOP5貼片封裝，內(nèi)置高壓大功率MOSFET，可廣泛適用于36W適配器或48W開(kāi)放環(huán)境，包括通用適配器、快充、顯示器和平板電視等。


產(chǎn)品特點(diǎn)


SDH8666Q系列采用自有專利EHSOP5貼片封裝，更適于自動(dòng)化生產(chǎn)；封裝厚度僅為1.6mm，是TO252封裝的2/3，對(duì)外殼溫升影響更��；Rthja為60℃/W，與TO252相當(dāng)，而Rthjc僅為1.05℃/W，是TO252封裝的1/2，更有利于散熱。

此外，該系列產(chǎn)品內(nèi)置了專利高壓EDMOS，也采用了專利高壓?jiǎn)?dòng)控制電路，省略傳統(tǒng)電路的啟動(dòng)電阻，待機(jī)功耗低至40mW，具有快速啟動(dòng)，輕載高效等優(yōu)點(diǎn)。在啟動(dòng)過(guò)程中采用高壓耗盡型MOSFET進(jìn)行高壓充電，芯片啟動(dòng)后高壓?jiǎn)?dòng)控制器控制該MOSFET關(guān)斷，相比其他高壓?jiǎn)?dòng)方式可靠性更高，更易通過(guò)雷擊浪涌測(cè)試。

全系列產(chǎn)品滿足CoC V5 Tier 2能效，采用了QR+PWM+PFM+Burst Mode控制模式。其中，產(chǎn)品優(yōu)化了QR模式抖頻控制，在系統(tǒng)工作于CCM或QR模式時(shí)采用不同的抖頻策略，優(yōu)化抖頻控制，降低系統(tǒng)EMI噪聲。QR模式下，采用優(yōu)化抖頻后的IC比無(wú)抖頻IC的傳導(dǎo)噪聲低5dB左右。

該系列產(chǎn)品具有VCC HOLD功能，防止輕載或動(dòng)態(tài)切換時(shí)芯片欠壓重啟，產(chǎn)品還具有完善的保護(hù)功能，包括VCC OVP、OCP、OTP、Brown In/Brown Out，輸出OVP，原邊電流采樣電阻短路保護(hù)，輸出短路保護(hù)，副邊整流管短路保護(hù)等。


供貨與報(bào)價(jià)


目前該系列電路已經(jīng)大批量銷售。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.silan.com.cn。（robin, 張底剪報(bào)）    （完）