【產(chǎn)通社，8月8日訊】美國(guó)微芯科技公司（Microchip Technology；NASDAQ股票代號(hào)：MCHP）消息，其推出業(yè)內(nèi)首款商用串行存儲(chǔ)器控制器，SMC 1000 8x25G使CPU和其他以計(jì)算為中心的SoC能夠在相同封裝尺寸內(nèi)使用并行連接DDR4 DRAM的四倍存儲(chǔ)器通道。該串行存儲(chǔ)器控制器不僅能為計(jì)算密集型平臺(tái)提供更高的存儲(chǔ)器帶寬和介質(zhì)獨(dú)立性，同時(shí)還具備超低時(shí)延的特性。

Microchip數(shù)據(jù)中心解決方案業(yè)務(wù)部副總裁Pete Hazen表示：“Microchip很高興向市場(chǎng)推出業(yè)界首款串行存儲(chǔ)器控制器產(chǎn)品。新的存儲(chǔ)器接口技術(shù)，如開(kāi)放式存儲(chǔ)器接口（OMI），使大量的SoC應(yīng)用能夠支持高性能數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。Microchip進(jìn)軍存儲(chǔ)器基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，凸顯了我們致力于提高數(shù)據(jù)中心性能和效率的決心�！�

IBM Power Systems的首席架構(gòu)師Steve Fields表示：“IBM客戶的工作負(fù)載對(duì)存儲(chǔ)的需求激增，因此，我們對(duì)POWER處理器存儲(chǔ)器接口做出了戰(zhàn)略決策，決定利用OMI標(biāo)準(zhǔn)接口來(lái)增加存儲(chǔ)器帶寬。IBM很高興與Microchip合作推出該解決方案。”

OpenCAPI聯(lián)盟主席Myron Slota表示：“開(kāi)放式存儲(chǔ)器接口（OMI）標(biāo)準(zhǔn)提供了一個(gè)高引腳效率的串行存儲(chǔ)器接口，因此，大量的CPU和SoC應(yīng)用可以擴(kuò)展存儲(chǔ)器帶寬，并在越來(lái)越多的新興介質(zhì)類型（如存儲(chǔ)分級(jí)存儲(chǔ)器）之間無(wú)縫轉(zhuǎn)換。OpenCAPI聯(lián)盟免費(fèi)提供主機(jī)和目標(biāo)IP，并將同時(shí)啟動(dòng)一系列措施，以確保符合標(biāo)準(zhǔn)。”

Google LLC平臺(tái)基礎(chǔ)架構(gòu)技術(shù)負(fù)責(zé)人Rob Sprinkle表示：“Google客戶可以從數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用獲益，例如需要高性能存儲(chǔ)器的機(jī)器學(xué)習(xí)和數(shù)據(jù)分析。Google強(qiáng)烈支持基于開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)的舉措，如開(kāi)放式存儲(chǔ)器接口（OMI），它們能提供高性能的存儲(chǔ)器接口，以滿足帶寬和時(shí)延等重要性能目標(biāo)�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


隨著CPU處理內(nèi)核數(shù)量的增加，由于CPU和SoC器件無(wú)法在單顆芯片上擴(kuò)展并行DDR接口的數(shù)量，以滿足不斷增長(zhǎng)的內(nèi)核數(shù)量的需要，從而導(dǎo)致每個(gè)處理內(nèi)核可用的平均存儲(chǔ)器帶寬有所下降。SMC 1000 8x25G通過(guò)符合8位開(kāi)放式存儲(chǔ)器接口（OMI）的25Gbps通道與CPU連接，通過(guò)72位DDR4 3200接口與存儲(chǔ)器連接，從而大幅減少每個(gè)DDR4存儲(chǔ)器通道所需的主機(jī)CPU或SoC引腳數(shù)量，允許更多的存儲(chǔ)器通道并增加可用的存儲(chǔ)器帶寬。

支持OMI的CPU或SoC可以使用具有不同成本、功耗和性能指標(biāo)的大量介質(zhì)類型，而無(wú)需為每種類型集成單獨(dú)的存儲(chǔ)器控制器。相比之下，目前的CPU和SoC存儲(chǔ)器接口通常以特定的接口速率鎖定在特定的DDR接口協(xié)議，例如DDR4。SMC 1000 8x25G是Microchip產(chǎn)品系列中第一款支持介質(zhì)獨(dú)立的OMI接口的存儲(chǔ)器基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品。

數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序工作負(fù)載需要基于OMI的DDIMM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，以提供與當(dāng)今基于并行DDR的存儲(chǔ)器產(chǎn)品相同的高性能帶寬和低時(shí)延效果。SMC 1000 8x25G采用創(chuàng)新的低時(shí)延設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)的基于LRDIMM的集成式DDR控制器相比，其時(shí)延增量不到4ns，這表明基于OMI的DDIMM產(chǎn)品的帶寬和時(shí)延性能與類似的LRDIMM產(chǎn)品幾乎相同。

SMART Modular、美光（Micron）和三星電子正在開(kāi)發(fā)多個(gè)引腳高效的84引腳差分雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DDIMM），容量從16GB到256GB，符合JEDEC DDR5標(biāo)準(zhǔn)草案的DDIMM封裝。這些DDIMM將采用SMC 1000 8x25G，并將無(wú)縫接入任何符合OMI標(biāo)準(zhǔn)的25Gbps接口。


供貨與報(bào)價(jià)


SMC 1000 8x25G現(xiàn)已開(kāi)始提供樣品。為支持客戶開(kāi)發(fā)符合OMI標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)，SMC 1000配備了設(shè)計(jì)軟件和ChipLink診斷工具，可通過(guò)直觀的GUI提供一系列調(diào)試、診斷、配置和分析工具。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.microchip.com/smartmemory。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）