【產(chǎn)通社，9月15日訊】Transphorm公司消息，其首款第三代PQFN88晶體管屬于650V器件，有TP65H070LSG（源極片）和TP65H070LDG（漏極片）兩種版本，并提供72mΩ的導(dǎo)通電阻。 

Transphorm全球技術(shù)營(yíng)銷和北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“我們關(guān)注的重點(diǎn)仍然是在提高GaN FET可靠性的同時(shí)，提供更高的功率密度。隨著市場(chǎng)對(duì)高壓GaN技術(shù)的興趣持續(xù)增長(zhǎng)，我們還希望為客戶提供適合各種潛在應(yīng)用的器件選擇。我們?cè)诂F(xiàn)有產(chǎn)品系列中推出72毫歐的源極和漏極PQFN88器件，這使我們能夠同時(shí)滿足這三個(gè)目標(biāo)�！� 


產(chǎn)品特點(diǎn)


Transphorm的第三代器件于2018年6月推出，是當(dāng)時(shí)市場(chǎng)上最高質(zhì)量、最高可靠性的[Q+R] GaN FET。它們與定制設(shè)計(jì)的低壓MOSFET和GaN FET相配對(duì)，可提供： 
- 更安靜的切換；
- 增加電流水平下的更高性能，以及最少的外部電路；
- 更高的抗噪能力（4V時(shí)的閾值電壓）；
- 更高的柵極穩(wěn)健性（+/-20V）。

第三代漏極和源極PQFN88封裝包括更寬的引腳以提高板級(jí)可靠性（BLR），從而增加多層印刷電路板（PCB）設(shè)計(jì)的可靠性。所提供的漏極和源極接頭配置還可適應(yīng)高側(cè)和低側(cè)開關(guān)位置。這在將大焊盤焊接到非開關(guān)節(jié)點(diǎn)時(shí)，可提供更強(qiáng)的輻射抗擾度。此外，在現(xiàn)有的第三代TO-XXX FET產(chǎn)品中加入PQFN88器件，使工程師有機(jī)會(huì)使用Transphorm的最新技術(shù)探索GaN驅(qū)動(dòng)的表面貼裝應(yīng)用。 

高壓GaN功率電子器件的采用率正在不斷上升。事實(shí)上，Transphorm已宣布有數(shù)家擁有各種終端產(chǎn)品的客戶展現(xiàn)了該技術(shù)的價(jià)值主張，例如：服務(wù)器和工業(yè)電源、游戲PC供應(yīng)、便攜式太陽(yáng)能發(fā)電機(jī)等。 


供應(yīng)與報(bào)價(jià)


650V TP65H070LSG和TP65H070LDG（72mΩ）FET目前每千片訂量的報(bào)價(jià)為7.47美元。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.transphormchina.com。（Donna Zhang, 張底剪報(bào)）    （完）