【產(chǎn)通社，9月20日訊】Transphorm公司消息，其已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協(xié)議，授權(quán)貿(mào)澤電子在全球經(jīng)銷其最新的半導(dǎo)體和電子元件。根據(jù)協(xié)議，貿(mào)澤電子將分銷Transphorm的經(jīng)過(guò)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET和評(píng)估工具。 

截至今天，貿(mào)澤電子可供應(yīng)Transphorm的900V TO-220和650V TO-247 TO-247及TO-220 GaN FET器件。這些器件具有低交越損耗、更少柵極電荷和更小的反向恢復(fù)電荷，與硅MOSFET相比，可提供與碳化硅（SiC）FET相似的現(xiàn)場(chǎng)可靠性和更高的性能。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的GaN晶體管相比，Transphorm的FET還提供業(yè)界最高的4V閾值電壓和±20V的柵極穩(wěn)健性等級(jí)。 

另外還提供Transphorm的汽車級(jí)GaN FET，包括業(yè)界首款獲得AEC-Q101認(rèn)證的GaN解決方案TPH3205WSBQA，以及業(yè)界首款175攝氏度標(biāo)準(zhǔn)的AEC-Q101認(rèn)證器件TP65H035WSQA。與非汽車應(yīng)用一樣，使用650V GaN FET的車載電源系統(tǒng)與類似的硅基解決方案相比，可以將功率密度提高40%，同時(shí)將整體系統(tǒng)成本降低多達(dá)20%。 

最后，貿(mào)澤電子推出的Transphorm評(píng)估平臺(tái)允許設(shè)計(jì)人員研究開關(guān)特性和效率。該套件支持各種電源系統(tǒng)拓?fù)�，包括逆變器、半橋降壓或升壓（通孔和SMD解決方案）以及無(wú)橋圖騰柱PFC，并支持一系列額定功率。例如，包括1.2kW和2.5kW半橋評(píng)估平臺(tái)以及2.5kW和4kW無(wú)橋圖騰柱PFC評(píng)估平臺(tái)。 

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.transphormchina.com。（Donna Zhang, 張底剪報(bào)）    （完）