【產(chǎn)通社，9月22日訊】全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，IR)開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子(FOM)提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。
GaN功率器件技術(shù)平臺基于IR公司的GaN器件專利技術(shù)，有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面的經(jīng)驗，可使該技術(shù)平臺廣泛應(yīng)用于AC-DC電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、照明系統(tǒng)及高密度音頻和汽車系統(tǒng)領(lǐng)域。其系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品組合和相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)(IP)遠遠超越了其他的領(lǐng)先分立功率器件。
高吞吐量、150毫米GaN器件及其制造工藝完全符合IR公司倡導(dǎo)的低成本高效益的芯片制造要求，為客戶提供世界一流的、可商業(yè)化的GaN功率器件制造平臺。
查詢進一步信息，請訪問http://www.irf.com.cn/irfsite/news/2008/234.asp
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