【產(chǎn)通社，9月25日訊】威世公司（Vishay Intertechnology）宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬贩庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運(yùn)作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運(yùn)用的效率。

新型SiE726DF在10V柵極驅(qū)動時，具有極低的導(dǎo)通電阻，最大為0.0024Ω（在4.5V驅(qū)動時，最大為0.0033Ω），且在無散熱片的情況下，能夠處理的電流水平比具有相同占位大小的
SO-8高50%，為服務(wù)器和通信系統(tǒng)中的高電流直流—直流轉(zhuǎn)換器的同步整流低端控制開關(guān)、VRM運(yùn)用、顯卡和負(fù)載點等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該器件的典型柵極電荷為50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率，能夠提供良好的擊穿保護(hù)。

該器件的Qrr為30nC且VSD為0.37V，兩者均比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低50%以上——集成了MOSFET和肖特基二極管的SiE726DF因為寄生器件減少和MOSFET體二極管相關(guān)的功率損耗降低，效率也得到了提高。隨著開關(guān)頻率升高，功率損耗減少越來越顯著。此外，取消外接肖特基二極管可在降低成本的同時，令設(shè)計人員創(chuàng)造出更小、更簡潔的電路設(shè)計。

PolarPAK封裝提供的雙面冷卻功能在高電流運(yùn)用領(lǐng)域表現(xiàn)出更出色的散熱性能。這使器件能夠在更低結(jié)溫下運(yùn)作，頂部熱阻為1°C/W，底盤熱阻為1°C/W。除簡化生產(chǎn)外，基于
線框架的密封設(shè)計因芯片密封，同樣提供了保護(hù)和可靠性。無論芯片大小，該器件提供相同的布局布線，簡化PCB設(shè)計，且100%通過Rg和UIS測試。

目前，可提供SiE726DF的樣品與量產(chǎn)批量，大宗訂單的的供貨周期為10至14周。查詢進(jìn)一步信息，請訪問http://www.vishay.com。