【產(chǎn)通社，12月7日訊】聯(lián)華電子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代碼：UMC；TWSE股票代碼：2303）官網(wǎng)消息，在使用USB 2.0測(cè)試載具首次并成功通過硅驗(yàn)證之后，其更先進(jìn)的22nm制程技術(shù)就緒。相較于一般的USB 2.0 PHY IP，用于驗(yàn)證的USB測(cè)試載具所使用面積為全球最小，實(shí)際展現(xiàn)聯(lián)電堅(jiān)實(shí)的22nm制程成熟度。新的芯片設(shè)計(jì)可使用22nm設(shè)計(jì)準(zhǔn)則或遵循28nm到22奈米的轉(zhuǎn)換流程（Porting Methodology），無(wú)需更改現(xiàn)有的28nm設(shè)計(jì)架構(gòu)，因此客戶可放心地使用新的芯片設(shè)計(jì)或直接從28nm移轉(zhuǎn)到更先進(jìn)的22nm制程。

聯(lián)華電子硅智財(cái)研發(fā)暨設(shè)計(jì)支持處陳元輝處長(zhǎng)表示：聯(lián)電致力于提供世界領(lǐng)先的晶圓專工特殊技術(shù)，并持續(xù)推出新的特殊制程技術(shù)，用以服務(wù)于5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用的快速增長(zhǎng)芯片市場(chǎng)。我們很高興能為客戶推出極具競(jìng)爭(zhēng)力的22nm制程技術(shù)，主要提升性能、面積和易于設(shè)計(jì)的先進(jìn)技術(shù)。

聯(lián)華電子的22nm制程與原本的28nm高介電系數(shù)/金屬柵極制程相比，優(yōu)勢(shì)在縮減10%的晶粒面積、擁有更佳的功率效能比，以及強(qiáng)化射頻性能等特點(diǎn)。另外也提供了與28nm制程技術(shù)兼容的設(shè)計(jì)規(guī)則和相同的光罩?jǐn)?shù)的22nm超低功耗（22uLP）版本，以及22nm超低泄漏（22uLL）版本。此22uLP和22uLL所形成的超級(jí)組合，可支持1.0-0.6V的電壓，協(xié)助客戶在系統(tǒng)單芯片（SoC）設(shè)計(jì)中同時(shí)享有兩種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。22nm制程平臺(tái)擁有基礎(chǔ)組件IP支持，為市場(chǎng)上各種半導(dǎo)體應(yīng)用，包括消費(fèi)性電子的機(jī)頂盒、數(shù)字電視、監(jiān)視器、電源或漏電敏感的物聯(lián)網(wǎng)芯片（附帶藍(lán)牙或WiFi）和需要較長(zhǎng)電池壽命可穿戴式產(chǎn)品的理想選擇。

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