【產(chǎn)通社，2月18日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia；原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）官網(wǎng)消息，其新推出的PSMNR51-25YLH功率MOSFET已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，樹立了25V、0.57mΩ的新標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括：電池保護(hù)；直流無刷（BLDC）電機(jī)（全橋，三相拓?fù)洌�；ORing服務(wù)器電源、熱插拔和同步整流。

安世半導(dǎo)體的功率MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Steven Waterhouse表示：“借助我們最新的NextPowerS3 MOSFET，意味著電源工程師現(xiàn)在比以前擁有更多的選擇來打造市場領(lǐng)先的產(chǎn)品——電池可以持續(xù)更長時(shí)間，電機(jī)可以提供更大扭矩，服務(wù)器可以更加可靠�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


該市場領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流（IDmax）、安全工作區(qū)（SOA）或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。

很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如ORing、熱插拔、同步整流、電機(jī)控制與電池保護(hù)等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而，某些具有類似Rdson值的同類器件，由于單元間距縮小，其SOA能力（衡量MOSFET安全工作區(qū)指標(biāo)）及Idmax額定電流需要降額。

安世半導(dǎo)體的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高達(dá)380A的最大額定電流。該參數(shù)對電機(jī)控制應(yīng)用尤為重要，因?yàn)殡姍C(jī)堵轉(zhuǎn)或失速的瞬間可能在短時(shí)間內(nèi)會(huì)導(dǎo)致很大的浪涌電流，而MOSFET必須承受此浪涌才能確保安全可靠的運(yùn)行。一些競爭對手僅提供計(jì)算出的IDmax，但安世半導(dǎo)體產(chǎn)品實(shí)測持續(xù)電流能力高達(dá)380A。


供貨與報(bào)價(jià)


該器件采用安世半導(dǎo)體LFPAK56封裝兼容5×6mm Power-SO8封裝，提供高性能銅夾結(jié)構(gòu)，可吸收熱應(yīng)力，從而提高質(zhì)量和壽命可靠性。

查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.com/nextpowers3。（robin, 張底剪報(bào)）    （完）