【產(chǎn)通社，2月27日訊】臺灣集成電路制造股份有限公司（TSMC；TWSE股票代碼：2330；NYSE股票代碼：TSM）官網(wǎng)消息，其與意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）攜手，合作加速氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵組件導(dǎo)入市場。透過此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺積公司領(lǐng)先的氮化鎵制程技術(shù)來生產(chǎn)其創(chuàng)新與策略性的氮化鎵產(chǎn)品。

氮化鎵是一種寬能隙半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，氮化鎵能夠提供顯著的優(yōu)勢來支持功率應(yīng)用，這些優(yōu)勢包括在更高功率獲取更大的節(jié)能效益，以致寄生功耗大幅降低；氮化鎵技術(shù)也容許更多精簡組件的設(shè)計以支持更小的尺寸外觀。此外，相較于硅基組件，氮化鎵組件切換速度增快達(dá)10倍，同時可以在更高的最高溫度下運作，這些強大的材料本質(zhì)特性讓氮化鎵廣泛適用于具備100伏與650伏兩種電壓范疇之持續(xù)成長的汽車、工業(yè)、電信、以及特定消費性電子應(yīng)用產(chǎn)品。

具體而言，相較于硅技術(shù)，功率氮化鎵及氮化鎵集成電路產(chǎn)品，在相同制程上具備更優(yōu)異的效益，能夠協(xié)助意法半導(dǎo)體提供中功率與高功率應(yīng)用所需的解決方案，包括應(yīng)用于油電混合車的轉(zhuǎn)換器與充電器。功率氮化鎵及氮化鎵集成電路技術(shù)將協(xié)助消費型與商用型汽車朝向電氣化的大趨勢加速前進(jìn)。

意法半導(dǎo)體預(yù)計今年稍晚將提供功率氮化鎵分離式組件的首批樣品給其主要客戶，并于之后數(shù)個月內(nèi)提供氮化鎵集成電路產(chǎn)品。 

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.tsmc.com/chinese。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）